型号：UT4435G
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：19A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：400pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：25nC（@VGS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

UT4435G采用了先进的沟槽型场效应晶体管工艺，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而显著提升器件的电流承载能力和能效表现。其超低的导通电阻RDS(on)在4.5mΩ（@VGS=10V）水平，意味着在大电流通过时产生的功率损耗极小，减少了发热问题，提升了系统的长期稳定性。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的导通损耗可以直接延长续航时间。同时，在VGS=4.5V条件下仍能保持6.2mΩ的低阻值，表明该器件在逻辑电平驱动下也能高效工作，适用于3.3V或5V微控制器直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或高电压驱动电路，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，得益于其低栅极电荷（Qg=25nC）和较小的寄生电容，使得开关过程中的充放电时间大大缩短，提高了开关频率上限。这不仅有利于减小外围无源元件（如电感和电容）的体积，还支持更高频率的DC-DC变换器设计，实现更高的功率密度。开启延迟时间和关断延迟时间分别为10ns和25ns，响应迅速，动态性能出色。此外，UT4435G具备良好的热传导性能，结合SOP-8封装内置的散热焊盘，可通过PCB敷铜有效散热，进一步增强功率处理能力。
　　器件的阈值电压范围为1.0V~2.5V，属于标准阈值类型，确保在正常驱动信号下可靠开启，避免误触发。其最大漏源电压为30V，适合用于12V或24V系统中的低电压大电流开关应用，例如同步整流、H桥电机驱动、负载开关和热插拔控制器等。内部结构优化还带来了较强的抗噪声干扰能力，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。综上所述，UT4435G凭借其低RDS(on)、高开关速度、良好热性能和宽泛的工作温度范围，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键组件。

UT4435G主要应用于需要高效率、高频率开关操作的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：同步整流式DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器，在这类电源拓扑中作为主开关或整流开关使用，利用其低导通电阻来减少传导损耗，提高转换效率；在电池管理系统（BMS）中用作充放电控制开关，实现对锂电池组的安全充放电管理；在电机驱动电路中作为H桥或半桥结构中的功率开关元件，驱动直流有刷电机或步进电机，广泛应用于智能家电、电动工具和小型机器人等领域。
　　此外，UT4435G也常用于电源热插拔电路中，作为负载开关控制主电源通断，防止接插过程中产生过大浪涌电流损坏系统；在LED恒流驱动电源中担任PWM调光开关，实现精准亮度调节；还可用于逆变器、UPS不间断电源、USB PD快充模块等便携式电源设备中，发挥其高频响应和低损耗优势。由于其SOP-8封装尺寸小巧，特别适合空间受限的消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、移动电源、智能家居控制板和工业传感器模块等。同时，该器件也可用于各种过流保护和电源冗余切换电路，提升系统可靠性与安全性。

AO4435, SI4435, FDS4435, CEM4435