型号：UT4422L-S08-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOP-8
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：16A
　　脉冲漏极电流(IDM)：64A
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ @ VGS=10V, 8mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：1370pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：470pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：95pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：23nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：2.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

UT4422L-S08-R采用先进的沟槽型MOSFET结构，通过优化元胞设计与制造工艺，在保持小型化封装的同时实现了极低的导通电阻。其在VGS=10V时RDS(on)仅为5.8mΩ，在VGS=4.5V时也仅为8mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率，尤其适用于大电流、低电压工作的DC-DC变换器和同步整流电路。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容Ciss为1370pF，反向传输电容Crss为95pF，使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和较快的开关速度，有助于减小外围滤波元件体积，提高电源功率密度。同时，较低的栅极电荷Qg（典型值23nC）减少了控制器所需的驱动能量，兼容多数PWM控制器和逻辑电平信号直接驱动。
　　UT4422L-S08-R的阈值电压范围为1.0V至2.5V，属于标准逻辑电平兼容型MOSFET，能够被3.3V或5V的微控制器或驱动IC直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其最大连续漏极电流达16A，脉冲电流可达64A，具备较强的瞬态负载响应能力，适合用于负载切换、热插拔控制和电机启动等需要承受冲击电流的场合。
　　该器件采用SOP-8封装，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的大面积铺铜实现高效散热，有效降低热阻，提升长期运行的可靠性。其工作结温范围为-55℃至+150℃，满足工业级应用需求，并具备良好的热稳定性。此外，产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保在严苛环境下仍能稳定工作。

UT4422L-S08-R广泛应用于多种中低电压功率开关场景。在便携式电子设备中，常用于锂电池供电系统的电源路径管理与负载开关，如智能手机、平板电脑和移动电源中的充放电控制电路，实现高效的电源切换与短路保护功能。
　　在DC-DC转换器领域，该器件适用于同步降压（Buck）变换器的上下管配置，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为低侧同步整流管使用，利用其低RDS(on)特性减少传导损耗，提升转换效率。
　　此外，它也被用于USB Type-C和PD快充协议中的电源开关控制，支持高电流输出（如3A、5A模式），保障接口的安全接入与断开。在LED照明驱动电路中，可作为恒流源的开关元件，实现精准调光与过流保护。
　　工业控制方面，UT4422L-S08-R可用于小型电机驱动、电磁阀控制、继电器替代方案以及PLC数字输出模块中的固态开关，提供比机械触点更长寿命和更高可靠性。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，适用于消费类电源适配器、智能插座、无线充电发射端等对成本、尺寸和效率均有要求的产品设计中。

AO4422A
　　FDMC86263
　　SISS045DN-T1-GE3
　　FDMS86263