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UT4414L-S08-R 发布时间 时间:2025/12/27 8:49:59 查看 阅读:10

UT4414L-S08-R是一款由UTC(友顺科技)推出的高效率、高精度的同步整流控制器,专为反激式(Flyback)电源转换器设计。该芯片主要用于在低电压、大电流输出的应用中实现高效能的同步整流,以替代传统的肖特基二极管整流方案,从而显著降低整流损耗,提高整体电源系统的转换效率。UT4414L-S08-R采用先进的检测技术,能够准确识别功率MOSFET的导通与关断时机,确保在各种负载条件下均能实现可靠的同步整流操作。该器件具备宽输入电压范围和良好的抗噪声能力,适用于多种AC-DC适配器、充电器以及工业电源系统。UT4414L-S08-R封装形式为SOT-23-6L,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备过温保护、VDD欠压锁定等多重保护机制,提升了系统的安全性和可靠性。

参数

型号:UT4414L-S08-R
  制造商:UTC(友顺科技)
  封装类型:SOT-23-6L
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大电源电压(VDD):25V
  静态电流:典型值 180μA
  工作频率范围:最高可达 500kHz
  驱动输出高电平电压:约 VDD - 0.3V
  驱动输出低电平电压:约 0.3V
  关断阈值电压(Vth_off):典型值 1.4V
  开启阈值电压(Vth_on):典型值 2.0V
  延迟时间控制:内置自适应延时调节
  最大驱动能力:可驱动标准N沟道MOSFET
  导通/关断响应时间:纳秒级响应

特性

UT4414L-S08-R采用次级侧同步整流控制架构,通过检测功率MOSFET两端的电压变化来判断其导通与关断时机,实现精准的栅极驱动控制。其核心特性之一是具备自适应开通与关断延迟控制功能,能够在不同开关频率和变压器漏感条件下自动调整驱动信号的时序,避免因过早或过晚开启MOSFET而导致的体二极管导通或击穿风险,从而提升系统效率与稳定性。
  该芯片内部集成了高压电平位移电路,使其能够直接驱动高边N沟道MOSFET,无需额外的隔离驱动电路,简化了设计复杂度并降低了成本。此外,UT4414L-S08-R具有出色的抗噪声干扰能力,即使在高频开关环境下也能稳定工作,有效防止误触发现象的发生。其低静态电流设计有助于在轻载或待机状态下降低功耗,满足能源之星等节能认证要求。
  为了增强系统可靠性,UT4414L-S08-R内置了多项保护机制。例如,当芯片结温过高时,过温保护功能会自动关闭输出,防止器件损坏;而VDD欠压锁定(UVLO)功能则确保在供电电压不足时禁止芯片工作,避免异常运行。同时,该器件支持宽范围输入电压,适用于全球通用输入的电源适配器设计。由于其高度集成化的设计理念,外部所需元器件极少,进一步提高了系统的可靠性和生产良率。

应用

UT4414L-S08-R广泛应用于各类需要高效能电源转换的场合,尤其是在追求高效率、小体积和低成本的消费类电子产品中表现突出。典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑的USB Type-C或传统USB充电器,其中作为次级侧同步整流控制器,用于提升输出端的转换效率,减少发热。
  此外,该芯片也适用于LED照明驱动电源,在恒压输出型LED电源中实现高效的直流整流,帮助产品达到更高的能效等级。在智能家居设备、路由器、网络摄像头等小型家电和通信设备的外置电源适配器中,UT4414L-S08-R同样被广泛应用,因其可在全负载范围内保持较高效率,并符合国际能效标准如DoE Level VI和CoC Tier 2。
  工业领域中,UT4414L-S08-R可用于小型工业电源模块、辅助电源系统以及隔离式DC-DC变换器的副边整流控制。其紧凑的SOT-23-6L封装特别适合空间受限的应用场景,且无需散热片即可稳定运行,大幅降低了系统整体尺寸和材料成本。随着绿色能源和节能减排趋势的发展,UT4414L-S08-R在推动电源系统向更高效率演进方面发挥着重要作用。

替代型号

AP4414GN-HF

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