型号：UT4404L-S08-R
　　逻辑功能：四路2输入与非门（Quad 2-Input NAND Gate）
　　技术工艺：CMOS
　　电源电压范围：2V 至 6V
　　输出驱动能力：±6mA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SOP-8 或 SOT-23-8
　　引脚数：8
　　逻辑电平兼容性：TTL兼容
　　传播延迟时间（tpd）：约15ns（典型值，VCC=5V）
　　静态电流（ICC）：≤1μA（最大值）
　　输入钳位电流：±20mA
　　最大工作频率：可达30MHz（依赖负载条件）
　　低电平输入电压（VIL）：≤0.8V
　　高电平输入电压（VIH）：≥2.0V（VCC=5V时）
　　低电平输出电压（VOL）：≤0.4V（IO=4mA）
　　高电平输出电压（VOH）：≥4.4V（IO=-4mA，VCC=5V）
　　功耗特性：极低静态功耗，适合电池供电应用

UT4404L-S08-R基于高性能CMOS技术构建，具备卓越的电气特性和稳定性，能够在宽电压范围内稳定运行，适用于2V至6V的供电系统，使其在3.3V和5V混合逻辑系统中具有良好的适应性。其核心优势之一是极低的静态电流消耗，通常不超过1μA，这使得该器件非常适合用于便携式设备或对功耗敏感的应用场合，如无线传感器节点、智能穿戴设备和远程监控终端。每个与非门均具备良好的输出驱动能力，能够直接驱动多个标准TTL输入负载，同时拥有较高的噪声容限，有效防止因电源波动或外部干扰导致的误触发。
　　该芯片具有出色的传播延迟特性，在5V供电条件下，典型传播延迟时间为15ns左右，足以满足大多数中速数字逻辑处理需求。输入端内置保护二极管，可有效抑制负向电压冲击，提升系统可靠性。输出结构采用推挽式设计，支持高电平和低电平的有效驱动，避免了外接上拉电阻的需求，简化了外围电路设计。UT4404L-S08-R还具备较强的抗静电能力（HBM模型下可达2kV以上），在生产和装配过程中不易因ESD损坏，提高了良品率。
　　由于采用小型封装（如SOT-23-8），该器件占用PCB面积小，有利于实现紧凑型设计，特别适用于空间受限的模块化产品。其引脚排列符合行业通用标准，便于替换同类产品。此外，该器件在温度适应性方面表现优异，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于恶劣环境下的长期运行。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，是现代数字系统中理想的逻辑门解决方案。

UT4404L-S08-R广泛应用于各类需要基础逻辑运算的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于遥控器、智能家居控制面板、LED驱动电路和小型显示模块中，实现按键去抖、信号选通或状态判断等功能。在通信设备中，可用于串行数据线路中的协议解析辅助逻辑、地址译码或中断请求合并处理。工业自动化控制系统中，该芯片可作为PLC扩展模块、传感器信号预处理单元或继电器驱动前级逻辑控制的核心组件，完成简单的条件判断与信号整合任务。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，UT4404L-S08-R常被用来扩展MCU的I/O功能，例如当主控芯片I/O资源不足时，可通过与非门组合实现“线与”逻辑或构建简单的锁存机制。它也可用于电源管理电路中的使能信号控制，通过多路输入组合决定某个模块是否启动。在测试测量仪器中，可用于脉冲信号的整形与同步，提高信号完整性。
　　此外，该器件适用于教育实验平台和原型开发板，因其功能明确、使用简单、价格低廉，成为学习数字逻辑电路的理想选择。在汽车电子领域，虽然未达到车规级标准，但在部分车载附件（如车载充电器、行车记录仪等）中也有应用。其宽电压适应性和低功耗特性也使其适合用于电池供电的物联网终端设备，执行唤醒逻辑或传感器状态合并等任务。

SN74LVC1G00DBVR
　　74HC00N
　　NXP 74AUP1G00GV