UT4404G-S08-R 时间：2025/12/27 7:26:20 阅读：11

UT4404G-S08-R是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应等特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动、电池管理系统以及各类消费类电子设备中的功率控制场合。UT4404G-S08-R封装形式为SOP-8，带有暴露焊盘（Exposed Pad），有助于提升散热性能，在有限空间内实现更高的功率密度。该型号符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、便携式设备及通信设备等多种应用场景。其栅极耐压能力经过优化设计，可兼容3.3V或5V逻辑电平驱动信号，便于与现代微控制器或PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合在严苛工作条件下长期运行。

参数

型号：UT4404G-S08-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8 (含EP)
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：40A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ @ VGS=10V, 8.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻(Junction-to-Ambient, RθJA)：40°C/W
　　热阻(Junction-to-Case, RθJC)：1.5°C/W
　　输入电容(Ciss)：2300pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：650pF @ VDS=20V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=20V
　　开启延迟时间(td(on))：12ns
　　上升时间(tr)：35ns
　　关断延迟时间(td(off))：30ns
　　下降时间(tf)：20ns

特性

UT4404G-S08-R具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为4.8mΩ，而在VGS=4.5V下也仅为8.5mΩ，这一特性显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于大电流输出的同步整流应用。由于采用了先进的沟槽式（Trench）工艺结构，该器件在保持高电流承载能力的同时，有效减小了芯片面积，从而提升了单位面积下的电流密度。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC @ VGS=10V，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够减少驱动损耗并提高转换效率。同时，其输入电容Ciss和反向传输电容Crss均经过优化设计，有助于抑制噪声干扰和米勒效应，提升系统的稳定性与抗干扰能力。
　　该MOSFET还具备出色的热性能表现，得益于SOP-8 EP封装中的底部散热焊盘设计，热量可以从芯片直接传导至PCB地层进行有效散发，从而降低结温上升速度，延长器件寿命。其最大工作结温可达+150°C，并具备过温保护能力，在异常负载或短路情况下仍能维持一定时间的安全运行。此外，UT4404G-S08-R具有较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的自我保护机制，增强了系统的鲁棒性。器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保在各种恶劣环境下的长期稳定工作。

应用

UT4404G-S08-R广泛应用于多种需要高效功率切换的电子系统中。在DC-DC降压变换器（Buck Converter）中，常作为上管（High-Side Switch）或下管（Low-Side Synchronous Rectifier）使用，配合控制器实现高效的电压调节，适用于主板供电、GPU核心电源等场景。在同步整流开关电源（SMPS）中，该器件可用于次级侧整流，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和发热，提升整体转换效率。在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，UT4404G-S08-R可用于电池充放电管理电路中的功率开关，实现低损耗的能量传输。此外，该器件也适用于电机驱动电路，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动模块，凭借其快速响应能力和高电流承载力，可实现精确的转速与方向控制。在LED驱动电源中，可用于恒流控制回路中的主开关元件，确保LED稳定发光。工业自动化设备中的继电器替代方案、热插拔电源模块、USB PD快充适配器以及各类嵌入式电源模块也是其典型应用领域。由于其封装小巧且支持表面贴装，非常适合高密度PCB布局需求，尤其适用于空间受限但对性能要求较高的便携式电子产品。