型号：UT4404
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：44A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：176A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：1900pF（@VDS=20V）
　　输出电容(Coss)：580pF（@VDS=20V）
　　反向传输电容(Crss)：100pF（@VDS=20V）
　　栅极总充电量(Qg)：56nC（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

UT4404采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，典型值在VGS=10V时仅为13mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。对于大电流应用场景，如大功率DC-DC变换器或电机驱动电路，低RDS(on)意味着更小的发热和更高的效率，从而减少对散热设计的要求，有利于实现紧凑型电源模块设计。同时，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（17mΩ），使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，适用于由微控制器直接控制的开关电路。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=56nC）和输入电容（Ciss=1900pF），使得其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，不仅降低了驱动IC的负担，也减少了开关过程中的动态损耗，有助于提升开关频率并减小外围滤波元件的体积。此外，UT4404具备良好的热稳定性，其最大结温可达150℃，配合TO-252封装良好的热传导性能，可在较高环境温度下稳定运行。该器件还具备较强的雪崩耐量，能够承受一定程度的电感负载断开时产生的反向电动势，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　UT4404的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了器件在低电压条件下即可开启，避免误触发的同时保证快速响应。其漏源击穿电压为40V，适用于12V、24V等常见直流电源系统，广泛用于电动车控制器、工业电源、UPS、LED照明驱动等领域。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期运行的稳定性。TO-252封装不仅便于自动化贴装，还支持单面散热设计，适用于需要良好散热性能但空间受限的应用场景。

UT4404广泛应用于多种电力电子领域，特别是在需要高效、高电流开关能力的场合。其主要应用包括但不限于：同步整流式DC-DC降压或升压转换器，在此类电路中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性提高转换效率；电池供电系统中的负载开关或充放电控制，例如在便携式设备、电动工具、电动自行车等产品中实现电池与负载之间的通断控制；电机驱动电路，用于H桥或半桥拓扑中作为功率开关元件，驱动直流电机或步进电机；LED恒流驱动电源中作为PWM调光开关，实现精确的亮度调节；此外，还可用于逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）中的初级或次级侧开关管，以及各类电源管理模块中的热插拔控制与过流保护功能。
　　在消费类电子产品中，UT4404常被用于笔记本电脑适配器、移动电源、智能家居控制板等设备的电源部分。由于其具备良好的抗噪能力和稳定的电气参数，也可应用于工业控制设备，如PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电路等。在汽车电子领域，尽管非车规级，但在车载辅助电源、车载充电器、行车记录仪等对成本敏感且环境相对温和的应用中也有广泛应用。其TO-252封装易于焊接和维护，适合批量生产，因此在中低端市场具有较高的性价比优势。

AP4404N, SI4404DY, FDS4404, AOD4404