型号：UT40N04L-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：DFN3x3
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：40A
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ @ VGS=10V, ID=20A
　　导通电阻(RDS(on))：2.2mΩ @ VGS=4.5V, ID=20A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷(Qg)：18nC @ VDS=20V, ID=20A
　　输入电容(Ciss)：980pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间(Trr)：22ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻结到外壳(RθJC)：1.5℃/W
　　热阻结到环境(RθJA)：45℃/W

UT40N04L-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在大电流应用场景下有效减少功率损耗和发热，提高系统能效。其超低的导通电阻在VGS=10V时仅为1.8mΩ，在VGS=4.5V时也仅达到2.2mΩ，表明该器件即使在低驱动电压条件下仍具备出色的导通能力，特别适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的低压控制系统。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，可以延长电池续航时间并减少散热需求。
　　该器件的栅极电荷Qg典型值为18nC，较低的栅极驱动需求意味着控制器所需的驱动功率更小，有利于简化驱动电路设计并提升开关频率。同时，其输入电容Ciss为980pF，在高频开关应用中能够减少开关延迟和动态损耗，使电源转换效率更高。此外，UT40N04L-TN3-R具备快速的反向恢复时间Trr（22ns），这在同步整流和半桥拓扑结构中可有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和EMI问题，增强了系统的稳定性与可靠性。
　　DFN3x3封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过底部散热焊盘实现高效的热传导，结到外壳热阻仅为1.5℃/W，配合良好的PCB布局可将热量迅速传递至散热平面。该MOSFET支持高达40A的连续漏极电流和160A的脉冲电流，展现出卓越的电流处理能力，适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景。器件的阈值电压范围为1.0V~2.0V，确保了良好的开启控制精度和噪声容限。工作温度范围覆盖-55℃至+150℃，满足工业级和汽车级应用的严苛环境要求。整体设计兼顾高性能、高可靠性和紧凑性，是现代高效电源管理系统的理想选择。

UT40N04L-TN3-R广泛应用于各类需要高效率、小尺寸和高电流承载能力的电源管理系统中。常见用途包括同步降压变换器中的上下管开关，尤其适用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的多相VRM（电压调节模块），其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于隔离与非隔离拓扑结构，如Buck、Boost和SEPIC等，提供稳定的功率切换功能。
　　该器件也适用于电池保护电路和电池管理系统（BMS），作为充放电通路的主控开关，利用其低RDS(on)降低能量损耗，延长电池使用时间。在负载开关应用中，UT40N04L-TN3-R可用于控制外设电源的通断，防止浪涌电流冲击系统主电源，常用于USB电源开关、显示屏背光控制和传感器供电管理。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为功率开关元件，实现正反转和调速控制。其高电流能力和快速响应特性能够满足电机启动和制动过程中的瞬态电流需求。在LED驱动电源中，也可作为恒流源的开关元件，确保亮度稳定且效率高。
　　由于其DFN3x3封装的小型化优势，UT40N04L-TN3-R非常适合高密度印刷电路板设计，广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制模块以及便携式医疗设备等领域。其符合RoHS标准且无卤素，满足现代电子产品环保法规要求，适合全球市场推广和批量生产使用。

UT40N04L-TN3-G
　　AP40T04GM-HF
　　AOZ5242ADJ
　　SQ2278EY-T1-GE3
　　FDMC86128
　　IPB042N04LC G
　　PHK40NQ40LT