型号：UT40N03TL-TM3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：14A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：56A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V, ID=7A
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=7A
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1200pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：350pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间(td(on))：10ns
　　关断延迟时间(td(off))：25ns
　　工作温度范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252(DPAK)
　　安装类型：表面贴装

UT40N03TL-TM3-T采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，这使其在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而显著提高电源系统的转换效率。其RDS(on)典型值仅为4.5mΩ（在VGS=10V时），即使在高负载工况下也能有效减少发热，降低对散热设计的要求，特别适用于紧凑型高密度电源模块。器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在几十纳库仑级别，这意味着驱动电路所需的能量较小，不仅降低了驱动损耗，还允许使用更简单的驱动方案，例如直接由控制器IO口驱动，适用于集成度高的便携设备。
　　该MOSFET具有出色的开关速度，得益于优化的内部结构设计，其开启和关断时间均处于行业领先水平，能够支持高达数百kHz甚至更高的开关频率运行，有利于减小外围无源元件（如电感和电容）的体积，进一步缩小整体电源尺寸。同时，较低的反向传输电容（Crss）有效抑制了米勒效应，避免在高频开关过程中出现误触发或振荡现象，提高了系统工作的稳定性和安全性。
　　UT40N03TL-TM3-T具备良好的热稳定性和长期可靠性，在结温达到150°C时仍能正常工作，且其热阻（Rth(j-c)）较低，确保热量可以快速从芯片传递至PCB或散热片。这种特性使其非常适合长时间连续运行的工业控制、电动工具及车载电子设备。此外，该器件通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，保证了在恶劣环境下的使用寿命。
　　在抗冲击能力方面，UT40N03TL-TM3-T具备一定的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不损坏，提升了系统应对异常工况的能力。其内置体二极管也具有较快的恢复速度和较低的正向压降，可在同步整流或续流路径中发挥良好作用。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，广泛应用于各类高效能开关电源设计中。

UT40N03TL-TM3-T因其优异的电学性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个领域的电源管理系统中。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑、移动电源中的电池充放电管理电路，作为主开关管或同步整流管使用，帮助实现高效的能量转换与低待机功耗。在笔记本电脑适配器、USB PD充电器等AC-DC和DC-DC电源模块中，该器件可用于次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管以降低导通压降，从而提升整体能效并减少发热。
　　在工业控制领域，UT40N03TL-TM3-T可用于PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电路以及小型电机控制电路中，作为负载开关或功率切换元件，提供快速响应和稳定的电流控制能力。其高电流承载能力和良好的热性能使其适用于持续运行的自动化设备。
　　在通信设备中，如路由器、交换机和光模块电源部分，该MOSFET可用于多相VRM（电压调节模块）或POL（点负载）电源设计，满足低压大电流供电需求。此外，在LED照明驱动电源中，也可作为升压或降压拓扑中的主开关器件，支持恒流输出与调光功能。
　　该器件同样适用于电动车配件、电动工具、无人机电源系统等对功率密度和效率要求较高的应用场景。其SOT-23或TO-252封装形式便于自动化贴片生产，适合大规模量产。总之，UT40N03TL-TM3-T凭借其高性能与高性价比，已成为现代中小功率电源设计中的主流选择之一。

AP40N03GL-HF
　　Si4946DY-T1-E3
　　IRLU3713PBF
　　AO4403
　　FDS4485