型号：UT40N03TG-K08-3030-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：40A
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V, 4.8mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：2200pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：680pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：45nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：15ns
　　上升时间(Tr)：40ns
　　关断延迟时间(Td(off))：35ns
　　下降时间(Tf)：25ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：DFN3.3×3.3

UT40N03TG-K08-3030-R采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构通过优化单元密度和电场分布，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了良好的击穿电压特性。其典型的4.5mΩ低导通电阻使得在大电流应用中功耗显著减少，提高了电源系统的整体效率。器件的栅极结构经过优化设计，有效降低了栅漏电荷Qgd（即“米勒电荷”），这对于高频开关应用尤为重要，因为它直接减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了转换器的工作频率上限和动态响应能力。此外，该MOSFET具备较低的输入电容和输出电容，有助于减小驱动电路的负担，提升系统的稳定性。
　　该器件的DFN3.3×3.3封装是一种底部散热型无引脚封装，具有极低的热阻特性，典型值约为25°C/W（结到PCB），能够将内部产生的热量高效传导至PCB上，避免局部过热导致的可靠性下降。这种封装还具有较小的寄生电感，有利于减少开关过程中的电压尖峰和振荡现象，从而提高电磁兼容性（EMC）表现。此外，DFN封装尺寸紧凑，仅为3.3mm×3.3mm×1.0mm，非常适合空间受限的应用场景，如移动设备电源管理模块、便携式充电器和高密度电源板。
　　UT40N03TG-K08-3030-R具备良好的热稳定性和长期可靠性，在-55℃至+150℃的宽结温范围内均可正常工作，适用于工业级和汽车级应用场景。其栅源电压额定值为±20V，提供了足够的电压裕度，防止因驱动信号波动导致的栅氧层击穿。器件还具备一定的雪崩耐量，能够在瞬态过压或感性负载切换时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适合用于同步整流等需要快速换流的场合。综合来看，该MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中的优选器件之一。

UT40N03TG-K08-3030-R广泛应用于各类需要高效、高频开关能力的电力电子系统中。在DC-DC转换器领域，它常被用作降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）拓扑中的主开关或同步整流管，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU、GPU或FPGA等高性能处理器提供稳定的低压大电流供电。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电回路的通断控制，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，有效减少电池能量损耗，延长续航时间。此外，在电机驱动电路中，如无人机电调、电动工具或微型机器人控制系统，该MOSFET可作为H桥或半桥结构中的开关元件，实现精确的转速与方向控制。
　　在消费类电子产品中，UT40N03TG-K08-3030-R常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理单元（PMU）中，用于负载开关、电源路径切换或背光驱动等模块。其小型DFN封装特别适合高密度PCB布局，满足轻薄化产品对空间的严苛要求。在通信设备中，如基站电源模块、光模块供电电路，该器件因其低噪声和高可靠性而受到青睐。此外，在LED驱动电源、USB PD快充适配器、无线充电发射端等新兴应用中，该MOSFET也能发挥其高频高效的优势。工业控制领域中，该器件可用于PLC数字输出模块、传感器供电控制、继电器替代方案等，提升系统响应速度与能效水平。总体而言，该器件适用于所有追求高效率、小体积和高可靠性的中低电压功率开关场景。

UT40N03L-G,R0J,F0J; UT40N03W; AON6240; FDMC86280; SI4946DY-T1-GE3; CSD17313Q2