型号：UT40N03G-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：40A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：160A
　　导通电阻(RDS(on))：4.0mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：2450pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：720pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(Trr)：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　极性：增强型

UT40N03G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，在保证高电流承载能力的同时实现了极低的导通电阻。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为4.0mΩ，这使得在大电流条件下功耗显著降低，有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。该器件的低导通电阻得益于优化的晶圆结构设计和高掺杂浓度的源漏区，从而减小了沟道和漂移区的电阻分量。此外，沟槽栅结构有效增加了单位面积内的沟道密度，进一步提升了载流子迁移率和导电性能。这种设计特别适用于需要高效能转换的应用场景，如同步整流、电池管理系统和电动工具驱动电路。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容Ciss为2450pF，输出电容Coss为720pF，在高频开关应用中表现良好。较低的电容值意味着更小的栅极驱动功率需求和更快的开关速度，有助于减少开关损耗，提升系统工作频率。同时，其反向恢复时间Trr仅为28ns，表明体二极管具有较快的关断能力，降低了在桥式电路或感性负载切换过程中产生的尖峰电压和电磁干扰风险。这对于提高系统可靠性和EMI性能至关重要。
　　UT40N03G-TN3-R支持高达40A的连续漏极电流（ID），并在短时间内可承受160A的脉冲电流，展现出强大的过载能力和动态响应能力。这一特性使其非常适合用于电机启动、电源软启动或瞬态负载变化较大的场合。器件的工作结温范围可达+150°C，具备良好的热稳定性，配合合理的PCB布局和散热设计，可在恶劣环境中长期稳定运行。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的抗干扰裕度，防止因栅极电压波动导致误开通或损坏。
　　TO-252（DPAK）封装不仅具备良好的热传导性能，还支持自动化贴片生产，提高了组装效率和产品一致性。该封装底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的大面积铜箔实现高效散热，进一步增强器件的热管理能力。总体而言，UT40N03G-TN3-R在性能、可靠性与成本之间取得了良好平衡，是中小功率电力电子系统中理想的功率开关元件。

UT40N03G-TN3-R广泛应用于各类中低电压、大电流的开关电源系统中，典型用途包括同步整流DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、便携式设备电源管理模块以及电池供电系统中的负载开关控制。在笔记本电脑、平板充电器和USB-PD快充适配器中，该器件常被用作次级侧同步整流管，利用其超低导通电阻显著降低传导损耗，提升转换效率至95%以上，满足能源之星和CoC Tier 2等能效标准要求。
　　在电机驱动领域，UT40N03G-TN3-R可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中作为低端或高端开关，其快速开关特性和高电流能力确保了电机启停平稳、响应迅速。同时，其集成的体二极管可在换相过程中提供可靠的续流路径，避免电压反冲损坏其他组件。
　　在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可作为充放电控制开关使用，配合保护IC实现过流、短路和过温保护功能。其高可靠性与长寿命特性使其适用于电动工具、无人机、电动自行车等对安全性要求较高的设备。
　　此外，UT40N03G-TN3-R也常见于LED驱动电源、逆变器、太阳能控制器和工业自动化控制系统中，承担主功率开关或辅助电源开关的角色。由于其具备良好的雪崩耐量和抗浪涌能力，即使在电网波动或负载突变情况下也能保持稳定运行，延长系统使用寿命。

AP40N03GP-EZ, DMG40N03L-13, FDS40N03A