类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均整流电流（Io）：3A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A（@8.3ms正弦波）
　　最大正向压降（VF）：1.7V（@3A, TJ=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（@25°C）, 1mA（@150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复）
　　热阻结到外壳（RθJC）：3.5°C/W

UT3P06L-AE3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这种材料相比传统的硅基二极管具有更高的禁带宽度（约3.2eV），使得器件能够在更高的电压下工作，同时显著降低导通损耗和开关损耗。由于不存在PN结，该二极管在关断过程中不会产生反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而消除了传统快恢复二极管或超快恢复二极管中存在的反向恢复尖峰电流和电磁干扰（EMI）问题，这对提高开关电源的效率和稳定性至关重要。此外，在高频操作环境下，如PFC升压级或LLC谐振转换器中，UT3P06L-AE3-R能够有效减少开关节点的振荡和功率损耗，提升系统整体能效。
　　该器件具备出色的热性能，可在高达+175°C的结温下持续工作，远高于普通硅二极管的+150°C上限，使其非常适合高温环境下的应用，例如车载电源、工业电机驱动和户外能源系统。其低正向压降（典型值1.7V @3A）不仅减少了导通期间的功耗，也有助于降低散热设计复杂度，节省散热器成本和空间。TO-252封装提供了良好的机械强度和热传导路径，支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。此外，UT3P06L-AE3-R对dv/dt噪声具有较强的抗扰能力，避免了误触发或寄生导通现象，提高了系统在恶劣电磁环境中的鲁棒性。综合来看，这款SiC肖特基二极管是实现高效、紧凑、高可靠电源解决方案的理想选择。

UT3P06L-AE3-R主要应用于需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。典型应用场景包括各类开关模式电源（SMPS），尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）下的功率因数校正（PFC）电路中，作为升压二极管使用，可显著提升功率密度并降低总谐波失真（THD）。在DC-DC转换器中，特别是在高输入电压条件下，该器件的低反向恢复损耗有助于提高转换效率并减少热管理负担。在太阳能光伏逆变器中，UT3P06L-AE3-R可用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中的整流元件，利用其高温耐受能力和长期可靠性保障系统在户外严苛环境下的稳定运行。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、电动汽车充电模块、服务器电源、LED驱动电源以及工业电机驱动器中的续流或箝位功能。由于其优异的动态响应特性，它还常用于高频感应加热、通信电源等对效率和体积有严格要求的应用场合。凭借其绿色环保属性和高性价比，UT3P06L-AE3-R已成为现代高效能电源设计中的关键元器件之一。

STP3NC65H|C3D30065A|SDB10A60C