时间：2025/12/27 8:11:06
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UT3P06G-AG6-R是一款由Unipower（友台半导体）推出的高性能硅基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的GaN-on-Si技术，结合了氮化镓材料的优异开关特性和传统硅工艺的成本优势，适用于现代电源系统中对功率密度和能效要求严苛的应用场景。UT3P06G-AG6-R属于增强型（e-mode）常关型氮化镓场效应晶体管，具备低导通电阻、低栅极电荷和快速开关能力，显著降低开关损耗，提升整体系统效率。该器件封装在小型化贴片封装中，具有良好的热性能和可靠性，适合自动化生产。其主要目标市场包括通信电源、服务器电源、电动汽车充电系统、无线充电、DC-DC变换器以及高密度AC-DC适配器等。由于其增强型特性，UT3P06G-AG6-R可直接兼容标准硅基MOSFET驱动电路，无需额外的负压关断电源，简化了系统设计并降低了开发难度。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，适用于汽车电子中的高可靠性需求场景。
型号：UT3P06G-AG6-R
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-GaN HEMT）
漏源电压（VDS）：650 V
连续漏极电流（ID）：12 A
脉冲漏极电流（IDM）：36 A
导通电阻（RDS(on)）：60 mΩ
栅源阈值电压（VGS(th)）：1.5 V ~ 2.5 V
最大栅源电压（VGS(max)）：+6.5 V / -4 V
输入电容（Ciss）：920 pF
输出电容（Coss）：180 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
封装形式：DFN5x6
UT3P06G-AG6-R的核心优势在于其基于GaN-on-Si的增强型器件结构，能够在650V电压等级下实现极低的导通电阻（典型值60mΩ），从而大幅降低导通损耗，提高系统效率。其增强型设计确保器件在栅极为零电压时处于关断状态，避免了耗尽型GaN器件需要负压关断的复杂驱动问题，极大提升了系统安全性和设计便利性。该器件具备极低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），使得在数百kHz至MHz级别的高频开关应用中表现出色，有效减小磁性元件体积，提升功率密度。同时，由于GaN器件本身无体二极管反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），在硬开关或图腾柱PFC等拓扑中可显著减少开关节点振铃和电磁干扰，降低热应力，提升系统可靠性。
该器件采用DFN5x6贴片封装，具有较小的寄生电感和优良的散热性能，支持双面散热设计，进一步优化热管理。其封装还经过优化以减少引线电感，提升高频下的开关稳定性。UT3P06G-AG6-R具备出色的动态性能，在快速开关过程中展现出低过冲和低振荡特性，有助于简化EMI滤波设计。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力（在限定条件下），增强了在异常工况下的鲁棒性。产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证，适用于工业级和汽车级应用场景。制造商提供完整的应用指南、参考设计和SPICE模型，便于工程师进行仿真与设计导入。
UT3P06G-AG6-R广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在数据中心和5G通信基础设施中，该器件可用于高效48V转12V DC-DC变换器、中间母线转换器（IBC）和高密度服务器电源模块，满足PSU效率标准如80 PLUS Titanium。在消费类电子产品中，适用于大功率氮化镓快充适配器（如65W以上PD充电器），实现小体积、轻量化设计。在新能源汽车领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和充电桩电源模块，支持高效率能量转换。此外，在工业电源、光伏逆变器、UPS不间断电源以及LED驱动电源中，UT3P06G-AG6-R也能发挥其高频高效的优势，帮助系统缩小体积、降低温升、提升可靠性。其增强型特性使其特别适合用于图腾柱无桥PFC电路，该拓扑因无需使用慢速恢复二极管而大幅提升效率，是当前主流高效率电源设计的关键方案之一。
GaN Systems GS-065B014-EPC1013,EPC2045,Navitas NV6128,Power Integrations InnoGaN系列INN3370C
