类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650 V
　　平均正向电流（IF(AV)）：3 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：48 A
　　正向电压降（VF）：典型值1.45 V（在3A时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：最大30 μA（在125°C时）
　　封装类型：D2PAK-7L（表面贴装）
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数量：7
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.2 °C/W

UT3P01ZG-AN3-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这一特性使其在高频开关电源中表现出色，尤其是在硬开关拓扑如图腾柱PFC（功率因数校正）电路中，能够大幅减少开关节点的电压振荡和能量损耗。由于没有少数载流子注入和存储效应，该二极管在开通时不会出现正向恢复过冲现象，避免了传统硅PIN二极管在启动瞬间产生的高瞬态电流和电磁噪声问题，提升了系统的可靠性与EMI性能。此外，其宽禁带半导体特性支持高达175°C的最高工作结温，允许在紧凑散热设计下仍保持长期稳定运行，非常适合高功率密度应用场景。该器件还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达48A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。得益于其低反向漏电流（在高温下仍保持μA级水平），即使在轻载或待机状态下也能维持较高的能效水平。该器件采用多引脚D2PAK-7L封装，优化了源极和栅极回路布局，降低了寄生电感，有助于提升高频开关行为的一致性和稳定性。同时，该封装具备良好的热传导路径，可通过PCB有效散热，适用于自动化SMT生产线，提高了制造效率和产品一致性。
　　值得一提的是，UT3P01ZG-AN3-R常被用作同步整流或升压续流二极管，在桥式或半桥拓扑中替代传统的硅快恢复二极管或超快恢复二极管，不仅能提升转换效率3%~5%，还能减小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。其电气参数经过严格筛选和测试，确保批次间一致性高，适合大规模工业部署。此外，该型号符合RoHS环保标准，并具备可靠的湿度敏感等级（MSL3），可在常规仓储条件下长时间保存而不影响焊接质量。对于设计工程师而言，该器件简化了驱动电路需求——无需复杂的有源钳位或缓冲网络，即可实现高效、稳定的整流功能，是现代绿色能源和高效电源系统中的理想选择之一。

UT3P01ZG-AN3-R广泛应用于各类高效率电力转换系统中，尤其适合高频、高功率密度的设计场景。典型应用包括：通信电源和服务器电源中的功率因数校正（PFC）级，特别是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC电路中作为升压二极管使用；光伏（PV）逆变器中的直流母线续流与隔离保护环节，利用其零反向恢复特性减少能量损失并提升MPPT效率；电动汽车车载充电机（OBC）和直流快速充电桩的AC-DC转换部分，帮助实现更高效率和更小体积；工业电机驱动器和UPS不间断电源中的整流与续流路径，提升动态响应能力和系统可靠性；此外，它也适用于高密度DC-DC转换器、数字电源模块以及高端LED驱动电源等对效率和热管理要求严苛的应用场合。由于其出色的高温性能和稳定性，该器件在恶劣工作环境（如高温车间或封闭空间内）下依然能够保持长期可靠运行，减少了系统故障率和维护成本。对于追求小型化、轻量化和节能环保目标的产品设计来说，UT3P01ZG-AN3-R提供了关键的性能支持。

UF3P01ZG65B-AN3-R
　　UJ3P01Z65T-AN3-R
　　C4D03120A