时间：2025/5/22 12:36:51
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UT3N06G-AE3 是一款 N 沣道硅场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等功率电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于高效率、高频工作的场景。
其封装形式为 SOT-23，这种小型化封装使其非常适合于空间受限的应用环境。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：4nC
开关时间：典型值 t_on=10ns, t_off=15ns
UT3N06G-AE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保在大电流应用中降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，减少磁性元件体积从而节省成本。
3. 高可靠性设计，可承受多次瞬态电压冲击。
4. 小型 SOT-23 封装，适合紧凑型设计需求。
5. 具备优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款 MOSFET 常见的应用领域有：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 手机充电器、适配器等便携式设备中的功率管理模块。
IRLML6401, AO3400A
