型号：UT3418L-AE3-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：18 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　导通电阻（RDS(on)）：180 mΩ
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.6 V
　　最大栅源电压（VGS max）：+6.5 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1050 pF
　　输出电容（Coss）：260 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN5x6
　　安装方式：表面贴装
　　峰值回流温度：260°C

UT3418L-AE3-R的核心优势在于其基于氮化镓材料的物理特性所带来的卓越电学性能。氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，拥有比硅更高的临界电场强度和电子迁移率，使得UT3418L-AE3-R能够在更高的电压下实现更低的导通损耗和开关损耗。该器件为增强型（常关型）结构，确保在上电过程中具有固有的安全性，无需复杂的负压关断电路，简化了驱动设计并提高了系统的可靠性。其180mΩ的低导通电阻在650V等级的功率器件中处于领先水平，能够有效降低传导过程中的I2R损耗，特别适用于高电流密度的应用。
　　在动态性能方面，UT3418L-AE3-R表现出极快的开关速度，得益于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），可支持数百kHz甚至MHz级别的开关频率运行。这不仅提升了电源系统的整体效率，还允许使用更小的磁性元件和滤波电容，从而显著缩小电源模块的体积和重量，满足现代电力电子设备对高功率密度的需求。此外，由于氮化镓器件本身不具备体二极管，因此不存在传统硅MOSFET中的反向恢复电荷（Qrr），避免了由此引起的额外开关损耗和电磁干扰问题，在硬开关和高频软开关拓扑中均表现出优异的性能。
　　该器件采用DFN5x6封装，具有低寄生电感的内部结构设计，有助于减少开关过程中的电压振铃和EMI辐射。封装底部集成了大面积裸露焊盘，可直接焊接至PCB的热焊盘上，实现高效的热传导路径，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。UT3418L-AE3-R还具备良好的抗dv/dt和di/dt能力，配合适当的PCB布局和栅极驱动设计，可在复杂工况下稳定工作。器件符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，包括高温高压反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试等，确保长期使用的稳定性与安全性。

UT3418L-AE3-R主要面向中高功率开关电源领域，尤其适用于追求高效率和高功率密度的先进电源拓扑。典型应用包括用于数据中心和电信基础设施的高效AC-DC电源模块，特别是在图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路中，该器件凭借其零反向恢复电荷和快速开关特性，能够大幅提升PFC级的转换效率，降低系统温升，并支持更高频率的操作以减小滤波元件尺寸。此外，它也广泛用于LLC谐振转换器、移相全桥（PSFB）以及硬开关全桥拓扑中的主开关或同步整流器，适用于48V DC-DC转换系统、工业电源、光伏逆变器和储能系统等场景。
　　在电动汽车相关应用中，UT3418L-AE3-R可用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的内部DC-DC变换器部分，帮助实现更高的能量转换效率和更紧凑的机械结构。由于其出色的热性能和电气性能，该器件也非常适合部署在空间受限但散热条件有限的密闭环境中。此外，该器件还可用于高频无线充电系统、激光驱动电源、医疗电源等对效率和可靠性要求极高的特种电源设备中。随着氮化镓技术的成熟和成本的下降，UT3418L-AE3-R正在逐步替代传统超结MOSFET，成为下一代绿色能源系统的关键组件之一。

GS-065-018-1-L, EPC2218, LMG3410R050