UT3414G-AE3-R 时间：2025/12/27 7:11:36 阅读：10

UT3414G-AE3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的N沟道增强型硅基氮化镓（GaN-on-Si）场效应晶体管（FET）。该器件采用先进的氮化镓技术，相较于传统的硅MOSFET，在高频、高效率和高功率密度应用中表现出显著优势。UT3414G-AE3-R的封装形式为DFN5x6（双扁平无引脚5×6mm），具有低热阻和优异的散热性能，适用于紧凑型电源设计。该器件无需外部门极驱动负电压即可实现正常关断，简化了驱动电路设计。其主要面向工业电源、服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高要求应用场景。由于采用GaN材料，UT3414G-AE3-R具备更低的导通电阻（RDS(on)）、更小的输出电容（COSS）和更快的开关速度，从而大幅降低开关损耗，提升系统整体能效。此外，该器件还具备良好的抗瞬态能力，并通过了AEC-Q101可靠性认证，适合在严苛环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型GaN FET
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：14 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：56 A
　　导通电阻（RDS(on)）@25°C：170 mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值 2.8 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 1300 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 120 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值 0 nC
　　栅极电荷（Qg）：典型值 20 nC
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装：DFN5x6 (5 mm x 6 mm)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40 °C 至 +150 °C
　　反向二极管：集成体二极管（非快恢复）

特性

UT3414G-AE3-R基于高性能的GaN-on-Si技术平台，具备卓越的电气特性与可靠性表现。其最突出的特点之一是极低的导通电阻（RDS(on)），仅为170mΩ，能够在高电流条件下显著减少导通损耗，提高电源转换效率。同时，得益于氮化镓材料的宽禁带特性，该器件具有更高的击穿电场强度，使得在650V耐压等级下仍能保持较小的芯片尺寸和低寄生参数。器件的输出电容（Coss）非常低，典型值仅为120pF，这大大降低了在硬开关拓扑中的能量损耗，特别适用于图腾柱PFC、LLC谐振变换器和有源钳位反激等高频开关电路。
　　另一个关键优势是几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0 nC），这意味着在桥式结构或同步整流应用中，不会产生由传统硅MOSFET体二极管带来的反向恢复电流尖峰和电磁干扰问题，从而提升了系统的可靠性和EMI性能。此外，该器件的栅极电荷（Qg）仅20nC，表明其驱动功耗较低，可兼容标准的栅极驱动器，无需复杂的隔离驱动方案，进一步降低了系统成本与设计复杂度。
　　UT3414G-AE3-R采用DFN5x6封装，具有优良的热传导性能和小型化特点，适合高密度PCB布局。其底部裸露焊盘设计有助于将热量高效传递至PCB地层，实现良好的散热管理。该器件还具备出色的动态性能，在快速开关过程中展现出稳定的电压和电流响应，能够承受高达56A的脉冲电流，适用于短时过载或启动冲击场景。此外，器件经过严格的老化测试和可靠性验证，符合AEC-Q101标准，确保在工业级和汽车级环境中长期稳定运行。

应用

UT3414G-AE3-R广泛应用于对效率、功率密度和热管理要求较高的现代电力电子系统中。其典型应用场景包括高效率AC/DC电源适配器与充电器，尤其是用于笔记本电脑、服务器和数据中心电源单元（PSU），在此类应用中，该器件可用于图腾柱无桥PFC电路，显著提升满载和轻载效率，满足80 PLUS钛金等严苛能效标准。在光伏（太阳能）逆变器中，UT3414G-AE3-R可用于DC/AC转换级，利用其高频开关能力减小磁性元件体积，提升系统功率密度。
　　在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩中，该器件同样表现出色，能够在高电压、高频率条件下实现高效能量转换，支持双向充放电功能。此外，工业电机驱动、UPS不间断电源以及高端DC/DC转换器（如48V转12V通信电源）也是其重要应用领域。由于其具备良好的EMI特性和低开关损耗，特别适合用于采用软开关或ZVS/ZCS拓扑的先进电源架构。UT3414G-AE3-R还可用于高频感应加热、激光电源和医疗设备电源等对稳定性与响应速度要求极高的场合，提供可靠的功率开关解决方案。