型号：UT3409G-AE2-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：6.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：8.5mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：1450pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：470pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：100pF @ VDS=15V
　　栅极电荷Qg（typ）：22nC @ VGS=10V
　　功耗PD：2.5W
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围TSTG：-55°C ~ +150°C

UT3409G-AE2-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，显著降低了导通电阻，从而有效减少导通损耗，提高整体系统效率。其低RDS(on)特性在大电流应用中尤为突出，能够在高负载条件下保持较低的温升，提升系统的可靠性和寿命。该器件在VGS=4.5V时仍能实现较低的导通电阻，表明其具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，适用于现代低电压、高效率的电源管理系统。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和优化的电容特性（Ciss、Coss、Crss），能够显著减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关电源应用，如同步整流DC-DC变换器和开关稳压器。其SOP-8封装不仅节省空间，还通过外露焊盘设计增强了散热性能，使器件在高功率密度环境下仍能保持稳定工作。
　　UT3409G-AE2-R具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD保护性能，能够在瞬态过压和电流冲击下保持安全运行，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，该器件的阈值电压范围适中，避免了误触发的同时保证了可靠的开启控制。其批量生产的一致性高，参数分布集中，有利于大规模自动化生产和质量控制。综合来看，UT3409G-AE2-R在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的优选器件之一。

UT3409G-AE2-R广泛应用于各类中低电压、中高电流的电源转换与控制电路中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压变换器，在此类电路中作为上下桥臂开关管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性提高转换效率，降低发热。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件常用于电池充放电管理电路和负载开关控制，实现对后级电路的高效通断控制，延长电池续航时间。
　　在电机驱动应用中，UT3409G-AE2-R可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动小型直流电机或步进电机，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，确保电机运行平稳且响应迅速。此外，该器件也适用于LED驱动电源、热插拔控制器、电源多路复用器以及各类过流保护电路中，作为主开关元件发挥关键作用。
　　在工业控制领域，UT3409G-AE2-R可用于PLC模块、传感器供电单元和小型电源模块中，提供稳定可靠的电源开关功能。其SOP-8封装易于自动化贴片，适合现代SMT生产工艺，有助于降低生产成本并提升产品一致性。由于其符合RoHS标准，也可用于对环保要求较高的出口型电子产品中。

SiSS098DN-T1-GE3,DMG2302U,MCH3311,FDMS7680,FDD39AP