UT3406G-AE3-R 时间：2025/12/27 7:11:13 阅读：9

UT3406G-AE3-R是一款由UTC（友顺科技股份有限公司）生产的高性能、高精度的同步整流控制器芯片，专为反激式（Flyback）电源转换器中的同步整流应用而设计。该芯片适用于多种AC-DC电源适配器、充电器、开放框架电源以及工业电源系统，旨在提升电源整体效率并降低功耗。UT3406G-AE3-R采用先进的检测技术，能够准确识别主开关管关断后次级侧同步整流MOSFET的导通与关断时机，从而有效替代传统的肖特基二极管整流方案，显著减少导通损耗，提高能效，并有助于实现更小体积、更高功率密度的电源设计。
　　该芯片具备宽输入电压工作范围，能够在多种负载条件下稳定运行，并集成多重保护功能，如过温保护、过压保护和短路保护等，确保系统在异常工况下的安全性和可靠性。UT3406G-AE3-R采用SOT-23-6小型封装，节省PCB空间，适合高密度贴装应用。其内部集成了高压启动电路和自供电模块，简化了外围设计，降低了系统成本。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。

参数

型号：UT3406G-AE3-R
　　制造商：UTC (UniIC)
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压VDD：4.5V 至 28V
　　关断阈值VDD_OFF：约3.8V（典型值）
　　启动电流：≤10μA（典型值）
　　静态工作电流：≤1.2mA（典型值）
　　驱动输出高电平电压VOH：约12V（受内部稳压限制）
　　驱动输出低电平电压VOL：＜1V
　　最大驱动能力：可驱动N沟道MOSFET，栅极驱动电压约12V
　　响应时间：典型值小于100ns
　　导通延迟时间：典型值50ns
　　关断延迟时间：典型值30ns
　　保护功能：具备过温保护（OTP）、VDD过压保护（OVP）
　　认证标准：符合RoHS，无卤素

特性

UT3406G-AE3-R具备先进的谷底导通检测技术，能够精准感知反激变换器中变压器次级绕组的电压变化，自动判断最佳导通时机，实现零电压或接近零电压的同步整流开启，极大降低开关损耗，提升整体转换效率。该特性尤其在轻载和重载条件下均能保持高效运行，满足能源之星、DoE VI级等高能效标准要求。芯片内部集成了高压启动电路，在系统上电初期可通过限流电阻从高压母线取电完成自启动，无需额外辅助绕组供电，简化了电源设计复杂度。同时，其低启动电流设计（≤10μA）有效减少了启动阶段的能量损耗，提高了待机效率。
　　该器件采用电流模式控制逻辑，具备快速响应能力和良好的负载调整率。其内置的自适应死区时间控制机制可防止上下桥臂直通现象，避免因误触发导致的MOSFET损坏。UT3406G-AE3-R还具备强大的抗噪声干扰能力，通过优化的dV/dt抗扰度设计，可在高频率开关环境下稳定工作，防止因电压突变引起的误动作。此外，芯片集成了全面的保护机制，包括VDD过压锁定（OVP）、过温保护（OTP）以及输出驱动短路防护，一旦检测到异常情况，将自动关闭输出驱动，进入保护状态，待故障解除后自动恢复运行，保障系统长期可靠运行。
　　UT3406G-AE3-R支持宽范围输入电压工作，可在4.5V至28V的VDD供电范围内正常工作，适应不同拓扑结构和输出电压等级的应用需求。其输出驱动能力强劲，可直接驱动低栅极电荷（Qg）的N沟道MOSFET，典型驱动电压为12V，确保MOSFET充分导通，降低Rds(on)带来的导通损耗。芯片采用SOT-23-6封装，引脚布局合理，便于PCB布线和散热管理，适合自动化贴片生产。此外，该芯片具有良好的兼容性和通用性，可广泛替换市场上主流的同步整流控制器，如Si3050DV、MP6908A、SY5022Q等型号，在成本与性能之间实现良好平衡。

应用

UT3406G-AE3-R广泛应用于各类高效反激式开关电源中，特别适用于手机、笔记本电脑、平板电脑等消费类电子产品的充电器和电源适配器设计。由于其高效率和小尺寸特性，也常用于LED驱动电源、智能家居设备电源模块、路由器和网络通信设备的内置电源单元。在工业领域，该芯片可用于工业控制设备、POS终端、安防监控摄像头等对能效和可靠性要求较高的应用场景。此外，UT3406G-AE3-R还可用于USB PD快充电源、多口充电站以及无线充电底座等新兴电子产品中，帮助工程师实现高功率密度、低温升和高可靠性的电源设计方案。其支持宽输入电压和多种负载条件的能力，使其在全负载范围内均能保持优异的能效表现，满足国际能效标准认证要求，是现代绿色电源设计的理想选择之一。