时间：2025/12/27 8:28:04
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UT3403L-AE2-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）场效应晶体管（FET），专为高效率、高频电力电子转换应用而设计。该器件采用先进的UJ3N技术平台，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热性能，适用于诸如服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器、车载充电机（OBC）以及工业电源等场景。UT3403L-AE2-R的额定电压为650V，典型导通电阻仅为65mΩ，在同类产品中表现出色，能够在较小封装下实现更高的功率密度和系统效率。该器件采用行业标准的TO-247-4L封装，具备开尔文源极（Kelvin Source）引脚，有助于减少驱动回路中的寄生电感，从而提升开关性能并降低栅极振荡风险。其四引脚配置允许将功率源极与信号源极分离，确保驱动信号更加稳定可靠，特别适合硬开关和软开关拓扑结构，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和有源钳位反激等。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力与dv/dt耐受性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。得益于GaN材料本身的物理特性，UT3403L-AE2-R相比传统硅MOSFET在开关损耗方面大幅降低，尤其在MHz级高频操作条件下优势更为明显，有助于减小磁性元件体积，提高整体系统功率密度。
型号：UT3403L-AE2-R
制造商：Qorvo (原UnitedSiC)
器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
漏源击穿电压 (BVDSS)：650 V
导通电阻 (RDS(on))：65 mΩ (最大值, @ VGS = 18 V)
连续漏极电流 (ID)：18 A (TC = 25°C)
脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
栅源阈值电压 (Vth)：3.5 V (典型值)
输入电容 (Ciss)：2700 pF (@ VDS = 100 V)
输出电容 (Coss)：450 pF (@ VDS = 100 V)
反向恢复电荷 (Qrr)：0 C (体二极管无反向恢复电荷)
栅极电荷 (Qg)：50 nC (@ VGS = 18 V)
封装类型：TO-247-4L
引脚数：4
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
UT3403L-AE2-R的核心优势在于其基于GaN材料的宽禁带半导体特性，使其在高频、高效率电力转换应用中表现卓越。首先，该器件具备极低的导通电阻与出色的开关速度，显著降低了导通损耗和开关损耗，尤其是在高频工作条件下，相较于传统硅基MOSFET可实现高达30%以上的效率提升。其零反向恢复电荷（Zero Qrr）特性意味着体二极管在关断时不会产生额外的反向恢复电流，从而避免了由此引发的EMI问题和额外损耗，特别适用于高频桥式拓扑和图腾柱PFC电路。
其次，该器件采用TO-247-4L四引脚封装，引入了开尔文源极设计，有效分离了驱动回路与功率回路，减少了共源电感对栅极控制的影响，提升了开关瞬态响应的稳定性，并降低了因di/dt引起的栅极电压跌落，从而避免误导通现象。这一设计使得驱动更精准，系统更可靠，尤其适合高dv/dt应用场景。
此外，UT3403L-AE2-R具有良好的热稳定性与长期可靠性，得益于先进的芯片钝化工艺与封装技术，可在高温环境下长时间稳定运行。其高击穿电压裕量与优异的动态性能使其在瞬态过压和负载突变情况下仍能保持安全运行。同时，该器件支持高达18V的栅极驱动电压，兼容主流驱动IC，并可通过优化驱动电压进一步降低RDS(on)，提升效率。最后，作为Qorvo GaN产品线的一员，UT3403L-AE2-R符合RoHS环保标准，具备良好的可制造性与供应链稳定性，广泛应用于数据中心、新能源、电动汽车等领域。
UT3403L-AE2-R广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频操作的现代电力电子系统中。典型应用包括服务器和数据中心的高效AC-DC电源模块，其中其高频特性可显著缩小变压器和滤波器体积，提升整体能效。在通信电源系统中，该器件用于高密度整流器模块，满足5G基站对小型化和节能的需求。
在可再生能源领域，UT3403L-AE2-R被用于光伏（PV）微型逆变器和串式逆变器的DC-DC升压级或DC-AC逆变级，利用其低损耗特性提高能量转换效率，延长发电时间。在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充模块，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中，其零Qrr特性可消除传统硅器件带来的反向恢复损耗，大幅提升系统效率至99%以上。
此外，该器件也适用于工业电源、高端UPS不间断电源、激光电源及高频感应加热设备。由于其出色的热性能和紧凑尺寸，UT3403L-AE2-R还能用于空间受限但散热条件良好的密闭式电源设计中。在消费类高端电源如游戏主机电源或AI服务器供电单元中，该器件同样展现出替代传统MOSFET的巨大潜力。总体而言，任何追求更高效率、更小体积和更低系统成本的先进电源拓扑均可受益于UT3403L-AE2-R的性能优势。
UJ3N75065K3S-T1
UJ3N75065K3S
UT3403L-AE2
