型号：UT3401ZL-AE3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　连续漏极电流（ID）：5.0A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=10V, ID=2.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.5A
　　最大栅源电压（VGSM）：±20V
　　功耗（PD）：1.5W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值 580pF
　　输出电容（Coss）：典型值 180pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 50pF
　　二极管正向电流（IS）：5.0A

UT3401ZL-AE3-R采用了先进的沟槽式场效应晶体管工艺，这种结构显著降低了器件的导通电阻，从而减少了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其低RDS(on)特性使得在大电流条件下也能保持较低的温升，提升了热稳定性和长期运行的可靠性。该MOSFET具备快速开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg）和优化的电容分布，使其非常适合用于高频开关电源和同步整流等对动态性能要求较高的场合。在实际应用中，快速的开关速度可以有效降低开关过程中的交越损耗，进一步提升能效。
　　该器件的栅极驱动电压兼容性强，可在4.5V至10V范围内实现充分导通，因此不仅适用于标准逻辑电平控制信号，也支持低电压微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。此外，其较宽的栅源电压范围（±20V）提供了更强的抗过压冲击能力，在瞬态电压波动或噪声干扰环境下仍能保持稳定工作。
　　UT3401ZL-AE3-R的SOT-23封装具有体积小、重量轻、热阻适中的优点，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。尽管封装尺寸较小，但通过合理的PCB散热设计（如增加铜箔面积），仍可实现良好的散热效果，确保在较高负载下安全运行。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和稳健的ESD防护性能，能够在突发短路或静电放电事件中提供一定程度的自我保护。
　　此外，该MOSFET在制造过程中严格遵循绿色环保标准，不含铅、镉等有害物质，符合RoHS指令要求，并通过无卤素认证，适用于出口型电子产品及对环保有严格要求的应用场景。综合来看，UT3401ZL-AE3-R凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的关键功率器件之一。

UT3401ZL-AE3-R广泛应用于各类中低功率电子设备中的开关与功率控制环节。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源等，常被用作电池充电管理电路中的负载开关或反向电流阻断元件，利用其低导通电阻和小封装优势，有效延长电池续航时间并节省PCB空间。在DC-DC转换器拓扑中，尤其是降压（Buck）和升压（Boost）电路中，该器件可用于同步整流部分，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提升转换效率。
　　在电机驱动领域，UT3401ZL-AE3-R可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端开关管，配合PWM信号实现精确的速度与方向控制，常见于玩具机器人、小型风扇、打印机走纸机构等消费类机电产品。此外，在LED照明控制系统中，它也可作为恒流源的开关调节元件，实现亮度调光功能。
　　工业控制方面，该MOSFET适用于PLC模块、传感器供电切换、继电器驱动缓冲级等需要可靠通断控制的场景。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，能够在较为恶劣的电磁环境中稳定运行。在通信设备中，例如路由器、交换机的电源管理单元中，UT3401ZL-AE3-R可用于多路电源轨的上电时序控制或故障隔离保护。
　　同时，因其SOT-23封装易于手工焊接和自动化生产，也被广泛用于教育实验套件、开发板和原型验证系统中，作为基础的功率开关元件进行教学演示或功能测试。总之，UT3401ZL-AE3-R凭借其优异的电气性能和灵活的驱动特性，适用于几乎所有需要高效、小型化功率开关解决方案的设计场景。

AO3401A
　　SI2301-DS-T1-E3
　　FDS6679A
　　DMG2301U