型号：UT3400ML-AE3-R
　　制造商：UTC（Unisonic Technologies Co., Ltd.）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：18A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.0~2.5V
　　导通电阻Rds(on)：最大10.5mΩ @ Vgs=10V；最大14mΩ @ Vgs=4.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值920pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：典型值290pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值17ns
　　功耗（Pd）：最大2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3

UT3400ML-AE3-R具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在大电流、低电压应用场景中表现出色。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为10.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，有效降低了导通损耗，提升了能效。同时，其在4.5V逻辑电平下的Rds(on)也控制在14mΩ以内，确保了与3.3V或5V驱动电路的良好兼容性，无需额外升压即可实现完全导通。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻并提高了开关速度。其输入电容和输出电容较小，有助于减少驱动损耗和开关延迟，特别适合用于高频PWM控制场合，如同步整流、负载开关和H桥驱动等。此外，UT3400ML-AE3-R具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为18nC，这意味着在高速开关过程中所需的驱动能量更少，有利于降低控制器的负担并提升系统的动态响应能力。
　　从可靠性角度来看，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载突变时提供一定的自我保护机制。其最大结温可达+150°C，并支持宽泛的工作温度范围，适用于环境较为严苛的工业设备。DFN3x3封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部带有裸露焊盘，可通过PCB散热焊盘将热量迅速传导至板层，大幅提升热传导效率，避免局部过热导致性能下降或失效。综上所述，UT3400ML-AE3-R是一款集高性能、高可靠性和紧凑封装于一体的现代功率MOSFET解决方案。

UT3400ML-AE3-R广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。常见用途包括但不限于：同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在笔记本电脑、平板电源管理单元中作为下管或上管使用；电池供电设备中的负载开关与电源通断控制，利用其低导通电阻减少待机损耗；电机驱动电路，如微型风扇、无人机电调模块中的H桥或半桥拓扑结构；LED驱动电源中的开关元件，实现恒流调节与调光功能；此外，还可用于热插拔控制器、USB PD电源路径管理以及便携式充电设备中的反向阻塞二极管替代方案。得益于其小型化封装和优良的热性能，该器件尤其适合对空间和能效要求较高的紧凑型电子产品设计。

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