UT30P04G-TN3-R 时间：2025/12/27 7:30:08 阅读：11

UT30P04G-TN3-R是一款由Unisonic Technologies Co., Ltd.生产的P沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽式技术制造，适用于高效率的电源管理应用。该器件封装在小型化的SOP-8L（小外形封装）中，并带有散热片设计，能够在有限的空间内提供良好的热性能，适合对空间要求较高的便携式设备和紧凑型电源系统。UT30P04G-TN3-R的主要特点是具有较低的导通电阻RDS(on)，这有助于降低在开关或线性工作状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效。该MOSFET的漏源电压VDS典型值为-30V，连续漏极电流ID可达-13A，具备较高的电流驱动能力，适用于负载开关、DC-DC转换器、电机控制以及电池供电设备中的电源切换等场景。此外，该芯片符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环境友好型元器件的需求。由于其优良的电气特性和封装形式，UT30P04G-TN3-R广泛应用于笔记本电脑、移动电源、USB充电控制器、电源适配器及各类消费类电子设备中。

参数

型号：UT30P04G-TN3-R
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOP-8L（带散热片）
　　包装：卷带编装，工业标准
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-13A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-52A
　　导通电阻(RDS(on))：最大4.6mΩ @ VGS = -10V, ID = -10A
　　导通电阻(RDS(on))：最大5.7mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -10A
　　导通电阻(RDS(on))：最大7.0mΩ @ VGS = -2.5V, ID = -8A
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：约1920pF @ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：约480pF
　　反向传输电容(Crss)：约100pF
　　栅极电荷(Qg)：约45nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：48W（Tc=25℃）
　　工作结温范围(TJ)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

特性

UT30P04G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。在VGS = -10V条件下，RDS(on)最大仅为4.6mΩ，显著降低了在大电流应用中的导通损耗，这对于提升电源转换效率至关重要。尤其是在同步整流、负载开关和电池管理系统中，这种低RDS(on)特性可以有效减少发热，延长系统寿命并提高可靠性。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，例如在VGS = -4.5V时，RDS(on)最大为5.7mΩ，在VGS = -2.5V时也能实现7.0mΩ的低阻值，使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，无需额外的电平转换或专用驱动IC，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET的封装形式为SOP-8L带外露散热片，不仅节省PCB空间，还能通过焊盘将热量高效传导至PCB地层，提升热稳定性。其高达48W的功耗能力（在理想散热条件下）使得该器件可在较高功率密度环境下稳定运行。此外，UT30P04G-TN3-R具有良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了在恶劣工况下的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的应用场合。该器件还具备优秀的热稳定性，随着结温升高，导通电阻的变化相对可控，避免了热失控风险。所有这些特性共同确保了UT30P04G-TN3-R在高效率、高可靠性电源系统中的广泛应用前景。

应用

UT30P04G-TN3-R广泛应用于多种中低电压直流电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和紧凑布局的便携式电子设备。在同步降压转换器中，它常作为上管或下管使用，利用其低导通电阻特性来减少能量损耗，提高转换效率。在电池供电设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充放电控制、电源路径管理和负载开关，实现对不同电源输入（如USB、适配器）之间的无缝切换，并防止反向电流。在DC-DC模块中，它可作为高端开关用于电压调节，支持快速动态响应和低静态功耗设计。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，特别是在微型风扇、振动马达或小型泵类负载的控制中，能够承受频繁启停带来的电流冲击。在热插拔控制器和过流保护电路中，UT30P04G-TN3-R凭借其快速开关能力和高电流容量，可实现对负载的软启动和故障保护。工业控制板、嵌入式系统和LED驱动电源也是其常见应用场景。得益于SOP-8L封装的小尺寸和良好散热性能，该器件特别适合空间受限但散热要求较高的设计，是现代高集成度电子产品中理想的功率开关元件。