型号：UT30N07
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：70V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值28mΩ（@Vgs=10V），最大值35mΩ（@Vgs=10V）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约2200pF（@Vds=25V）
　　输出电容(Coss)：约450pF
　　反向恢复时间(trr)：约35ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

UT30N07采用先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构能够在单位面积内实现更高的载流子迁移率，从而显著降低导通电阻Rds(on)，提升整体能效。其低至35mΩ的最大导通电阻使得在大电流条件下功耗更小，温升更低，有利于延长系统寿命并提高安全性。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），通常在60nC左右，这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较少，有助于简化驱动电路设计并降低控制器负担。
　　该MOSFET具备优异的热稳定性，结壳热阻（Rθjc）约为1.0℃/W，配合合适的散热片可有效将热量传导出去，防止因过热导致性能下降或损坏。其内部寄生二极管具有较快的反向恢复特性，trr约为35ns，减少了在感性负载切换过程中产生的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统的EMI表现。
　　UT30N07还具备良好的抗雪崩能力，能够在短时间内承受超过额定电压的能量冲击而不发生永久性损伤，这一特性在电机启动、电源反接或负载突变等异常工况下尤为重要。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于对环保要求较高的电子产品。
　　由于采用了成熟的封装技术，UT30N07在焊接过程中表现出良好的可靠性和一致性，尤其在回流焊和波峰焊工艺中不易出现虚焊或热应力裂纹。其引脚布局符合行业通用规范，方便PCB布线和替换。总体而言，UT30N07是一款性价比高、性能稳定的功率MOSFET，适用于多种中等功率应用场景。

UT30N07广泛应用于各类中等功率电子设备中，尤其是在需要高效开关控制和低导通损耗的场合。其典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压变换器，其中作为主开关管或同步整流管使用，能够显著提高电源转换效率并减小体积。在电池供电系统中，例如便携式设备、电动工具和电动车充电模块，UT30N07可用于电池保护电路中的充放电控制开关，凭借其低Rds(on)减少能量损耗，延长续航时间。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，实现正反转和调速功能。其快速开关响应和较强的电流承载能力确保了电机运行平稳且响应迅速。此外，在LED照明驱动电源中，UT30N07可作为恒流控制电路中的功率开关，支持PWM调光等功能。
　　工业控制系统中，UT30N07常用于继电器驱动、电磁阀控制和固态继电器（SSR）等负载开关应用，替代传统机械继电器以提高寿命和可靠性。在逆变器和UPS不间断电源系统中，也可作为功率级开关器件参与能量转换过程。
　　由于其良好的热性能和电气特性，UT30N07也被用于汽车电子系统中的辅助电源模块、车载充电器和车灯控制单元。总之，凡是在70V耐压范围内需要大电流、低损耗开关功能的场景，UT30N07都是一个值得考虑的解决方案。

AP30N07P, FQP30N07L, STP30N07F4, IRF30N07