型号：UT2P06G-AB3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOP-8
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：70A（@ TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：280A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：6.5mΩ（@ VGS=10V, ID=35A）
　　导通电阻RDS(on)：8.5mΩ（@ VGS=4.5V, ID=35A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷Qg：45nC（@ VGS=10V）
　　输入电容Ciss：2800pF（@ VDS=30V）
　　输出电容Coss：1100pF（@ VDS=30V）
　　反向恢复时间trr：<50ns
　　工作结温Tj：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散PD：62W（@ TC=25°C）

UT2P06G-AB3-R采用高性能沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至6.5mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。这一特性使其特别适用于大电流应用场景，如同步整流、电池供电设备和高效率DC-DC变换器。器件的低RDS(on)不仅减少了发热，还允许在相同散热条件下承载更高电流，从而提高了功率密度。此外，该MOSFET的栅极电荷Qg仅为45nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有利于实现高频开关操作而不会显著增加驱动电路负担。较低的输入电容Ciss和输出电容Coss也进一步减小了开关过程中的动态损耗，提升了开关速度与响应能力。
　　该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在结温高达150°C的情况下持续工作，适用于高温环境下的工业控制和车载电子设备。其SOP-8封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具备较好的散热性能，可通过PCB铜箔进行有效散热。UT2P06G-AB3-R还具备较强的抗雪崩击穿能力，在意外电压尖峰或感性负载切换时能够提供一定程度的自我保护，增强系统的鲁棒性。器件的阈值电压范围适中（2.0V~3.0V），兼容多数逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换电路即可直接驱动。
　　在可靠性方面，UT2P06G-AB3-R经过严格的质量控制流程，符合国际环保标准，不含铅和卤素，满足现代绿色电子产品的要求。其制造工艺成熟，批次一致性好，适合大规模批量生产使用。相比同类进口品牌产品，它在性能接近的同时具备更高的性价比优势，是国产化替代的理想选择之一。对于需要在紧凑空间内实现高效能功率控制的应用来说，UT2P06G-AB3-R提供了优异的综合性能表现。

UT2P06G-AB3-R广泛应用于多种电力电子系统中，典型用途包括开关模式电源（SMPS）、同步整流器、直流电机驱动电路、H桥驱动模块、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、笔记本电脑适配器、移动电源、USB PD快充模块以及各类消费类电子产品的电源管理单元。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件常被用于BUCK降压转换器的主开关管或同步整流管，显著提升转换效率并减少发热。在便携式设备中，它可以作为负载开关或电源通断控制元件，实现高效的电源分配与节能管理。此外，在电动工具、无人机电源系统和小型逆变器中，UT2P06G-AB3-R也能发挥出色的性能，支持高动态负载变化下的稳定运行。其快速开关特性使其适用于PWM调光、马达调速等需要精确控制的场合。在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器替代、固态开关和传感器供电控制等应用，提升系统响应速度与可靠性。得益于SOP-8封装的小型化优势，UT2P06G-AB3-R非常适合空间受限的高密度PCB设计，尤其适用于追求轻薄化的现代电子产品。无论是民用、工业还是车载环境，只要涉及中低压大电流开关控制，UT2P06G-AB3-R都是一种可靠且经济的选择。

UT2P06G, UT2P06, AON6260, FDS6680A, SiSS066DN