时间：2025/6/25 16:43:31
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UT2955G是一种高性能的功率MOSFET，采用N沟道增强型设计。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使其在高效能功率管理应用中表现优异。
UT2955G采用了先进的半导体制造工艺，确保了器件在高频开关条件下依然保持较低的损耗和较高的稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，于Vgs=10V时）
总功耗：170W
结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小尺寸封装（如TO-220或DPAK），便于PCB布局和散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. 各类电池管理系统中的功率路径控制器件。
IRF540N, FDP5800, AON7542
