型号：UT23P09
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A（@25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻RDS(on)：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：65mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　栅极电荷（Qg）：10nC @ VDS = 15V, ID = -2.2A
　　输入电容（Ciss）：350pF @ VDS = 15V, VGS = 0V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

UT23P09采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备优异的电性能和热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其P沟道结构使其特别适用于高端开关应用，在电源路径控制中可实现快速响应和低静态功耗。器件的最大漏源电压为-30V，能够满足大多数低压直流系统的绝缘要求，同时支持高达-4.4A的连续漏极电流，足以应对多数便携设备的负载需求。在不同栅极驱动电压下，UT23P09表现出良好的导通电阻特性：当VGS = -10V时，RDS(on)仅为45mΩ；即使在较低的驱动电压如-4.5V或-2.5V条件下，仍能保持较低的导通电阻，确保在逻辑电平驱动下的高效导通。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，保证了在低电压控制系统中的可靠开启能力，尤其适合由3.3V或更低电压微控制器直接驱动的应用场景。低栅极电荷（典型值10nC）和较小的输入电容（350pF）使得开关过程中的驱动损耗显著降低，提升了高频开关应用中的能效表现。此外，SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备良好的散热性能，结合芯片本身的低功耗特性，可在不增加额外散热措施的情况下长期稳定运行。
　　UT23P09还具备较强的抗静电能力，符合工业级ESD防护标准，提高了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。其无铅环保封装符合RoHS指令要求，适用于绿色电子产品制造。总体而言，UT23P09以其低导通电阻、高电流承载能力、优良的开关特性和紧凑封装，成为众多低电压、低功耗电源管理方案中的优选器件。

UT23P09广泛应用于各类低电压、低功耗的电源管理系统中，典型应用场景包括便携式电子设备中的电池供电开关控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备等，用于实现系统上电/断电管理和电源路径切换。在这些设备中，它常被配置为高端开关，连接电池正极与负载之间，通过微控制器的GPIO信号进行通断控制，从而实现对子系统的独立供电管理，达到节能目的。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关模块，尤其是在降压（Buck）变换器中作为上管使用，能够有效减少传导损耗，提高转换效率。在USB供电接口或充电管理电路中，UT23P09可用于过流保护和热插拔控制，防止反向电流流入电源端口，保障主控芯片安全。
　　在LED背光驱动或指示灯控制电路中，该MOSFET可作为开关元件实现亮度调节或分组控制。由于其支持逻辑电平驱动，无需外加驱动电路即可由MCU直接控制，极大简化了设计复杂度。工业传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、LoRa、NB-IoT）等需要间歇性工作的设备中，UT23P09可用于模块电源的启停控制，延长整体系统续航时间。
　　综上所述，UT23P09凭借其小封装、低功耗、高可靠性等优势，已成为现代电子系统中不可或缺的功率开关元件之一，广泛服务于消费电子、物联网终端、智能家电等多个领域。

AP2309GNTRG1
　　FMG23P09MEB
　　DMG2309UX
　　SI2309DS-T1-GE3
　　NXP2309PB