型号：UT2327L-AE3-R
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-3
　　极性：P-Channel
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-2.3A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.6A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：90mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：380pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：7ns
　　关断延迟时间(td(off))：22ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

UT2327L-AE3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低阈值电压特性，典型值为-0.6V至-1.0V，使得该器件可以在低至1.8V的栅极驱动电压下完全导通，非常适合现代低压数字系统应用。这种低VGS(th)设计显著提升了在电池供电设备中的能效表现，避免了传统高阈值P沟道MOSFET需要负压驱动或复杂电荷泵电路的问题。
　　该器件的导通电阻表现优异，在VGS = -4.5V时RDS(on)仅为55mΩ，而在更常见的-2.5V驱动条件下仍可保持65mΩ的低阻值，有效降低了功率损耗和温升。对于大电流瞬态负载，其脉冲漏极电流可达-4.6A，展现出良好的动态响应能力。同时，输入电容Ciss仅为380pF，有助于减少驱动电路的负载，提高开关速度。
　　UT2327L-AE3-R具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备较好的散热性能，结合合理的PCB铜箔设计可满足大多数中等功率应用需求。器件还具备快速开关特性，开启延迟时间为7ns，关断延迟时间为22ns，适用于高频开关操作，如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　此外，该MOSFET在整个工业级温度范围内（-55℃至+150℃）均能保持稳定的电气参数，适用于严苛环境下的长期运行。产品符合无铅、无卤素等环保要求，支持绿色电子产品设计。整体而言，UT2327L-AE3-R是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET解决方案，适用于多种现代电子系统的电源管理模块。

UT2327L-AE3-R主要应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载管理，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等使用锂电池供电的产品中，常用于电池正极的通断控制或不同功能模块的电源隔离。由于其支持1.8V逻辑电平直接驱动，因此可无缝对接现代低电压微处理器或GPIO输出，实现高效的电源管理策略。
　　在DC-DC转换电路中，UT2327L-AE3-R可用于同步降压变换器的上管开关，特别是在轻载或待机模式下需要高效工作的场合。它也常见于电压反转电路、高端开关配置以及电机驱动电路中的P侧控制元件。此外，该器件还可作为热插拔控制器中的主开关，防止浪涌电流对系统造成冲击。
　　在消费类电子产品中，UT2327L-AE3-R广泛用于LED背光驱动、USB端口电源控制、SD卡电源切换等场景。其小型化封装特别适合空间受限的设计，而低导通电阻则有助于提升整体能效，延长电池续航时间。工业控制领域中，该器件可用于传感器模块的电源启停控制，以降低待机功耗。
　　由于其具备良好的温度稳定性和可靠性，UT2327L-AE3-R也可应用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统的电源管理单元或车内照明控制电路。总之，凡是需要低电压驱动、高效率、小尺寸P沟道MOSFET的场合，UT2327L-AE3-R都是一个极具竞争力的选择。

AO3415
　　Si2301DS
　　FDMC86242L