时间：2025/8/22 15:38:45
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UT1H221M1010VG 是一款由 UMW（友台半导体）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率转换应用，例如电源供应器、DC-DC转换器、马达驱动器及各种高功率电子系统。UT1H221M1010VG 采用先进的封装技术，具备良好的热管理和电气性能，能够在高电流和高电压条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：220A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ（典型值）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
功耗(Pd)：300W
UT1H221M1010VG 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.7mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具备高电流承载能力，最大漏极电流可达220A，适合用于高功率应用场景。其TO-263（D2PAK）封装不仅提供良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，简化了PCB布局并提升了自动化生产效率。
该器件具有宽广的工作温度范围（-55℃至175℃），适应各种严苛的工作环境。栅极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制灵活性。UT1H221M1010VG 还具备出色的雪崩击穿耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
此外，该MOSFET采用了先进的硅片技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，并降低了电磁干扰（EMI）。其高可靠性和稳定性使其成为工业、汽车和通信设备中的理想选择。
UT1H221M1010VG 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? 高功率电源供应器（如服务器电源、电信电源）
? DC-DC转换器（如电池充电器、能量存储系统）
? 电动工具和电动汽车中的马达驱动器
? 工业自动化设备中的功率开关
? 太阳能逆变器和储能系统
? 汽车电子系统（如车载充电器OBC、电池管理系统BMS）
? 电源管理模块（如负载开关、热插拔电源控制）
IXFN220N10T、IRFP2907、SiHF220N10TF
