型号：UT15N10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=10V, Id=7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：110mΩ @ Vgs=4.5V, Id=7.5A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：280pF @ Vds=50V
　　反向传输电容（Crss）：45pF @ Vds=50V
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ Vgs=10V
　　最大功耗（Pd）：125W @ 25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252

UT15N10具备多项关键电气与物理特性，使其在中等功率MOSFET市场中具有较强的竞争力。首先，其100V的漏源击穿电压使其适用于多种常见的直流母线电压平台，例如48V通信电源、72V电动车控制系统及96V工业电机驱动系统。在此电压等级下，器件仍能保持较低的导通电阻，典型值为85mΩ（在Vgs=10V时），这显著降低了导通期间的I2R损耗，提高了系统的能效表现。尤其是在大电流持续工作的场景中，低Rds(on)意味着更少的发热，从而减少对散热器的需求，有助于缩小产品体积并降低成本。
　　其次，UT15N10采用了优化的晶圆结构设计，提升了开关速度与动态性能。其输入电容Ciss仅为1300pF，在高频开关应用中可减少驱动电路的能量消耗，同时降低开关延迟时间。配合35nC的总栅极电荷（Qg），使得控制器可以使用较小的驱动电流即可完成快速充放电，非常适合搭配UC3842、TL494等常用PWM控制器使用。此外，较低的反向传输电容Crss有助于抑制米勒效应引起的误触发，提升系统在高dv/dt环境下的抗干扰能力，确保开关动作的稳定性与可靠性。
　　再者，该器件具有良好的热稳定性与长期可靠性。芯片通过了严格的高温反偏（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，保证在恶劣工况下的长期使用寿命。其最大结温可达150℃，支持在高温环境中持续运行。TO-220或TO-252封装不仅便于安装散热片，而且引脚布局符合行业标准，兼容性强，方便替换同类产品。此外，UT15N10内置体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于桥式拓扑或感性负载切换场合，进一步扩展了其应用灵活性。

UT15N10因其优异的电气性能和高性价比，被广泛应用于多个领域的电源管理系统中。在开关电源（SMPS）设计中，它常作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥拓扑结构中，尤其适用于输出功率在50W至200W之间的适配器、充电器和机顶盒电源单元。由于其100V耐压等级足以覆盖多数离线式电源的反射电压峰值，结合低导通电阻带来的高效率优势，有助于满足能源之星（Energy Star）或CoC Tier 2等能效规范要求。
　　在DC-DC转换器中，UT15N10可用于同步整流或主控开关，特别是在非隔离型Buck、Boost或Buck-Boost电路中表现出色。例如，在车载电子系统中，该器件可用于将12V或24V电池电压升压至更高电压以驱动LED灯串，或降压为MCU及其他逻辑电路供电。其快速开关特性和低栅极驱动需求使其非常适合由MCU或专用电源IC直接驱动，简化了控制电路设计。
　　此外，UT15N10也常见于小型电机驱动系统，如风扇控制、电动工具、智能家居设备中的步进或直流电机驱动模块。在这些应用中，MOSFET作为H桥的上下桥臂开关元件，负责调节电流方向与大小，实现调速与正反转功能。得益于其高电流承载能力和良好的热性能，UT15N10可在频繁启停和过载条件下保持稳定运行。
　　其他应用场景还包括太阳能微型逆变器、UPS后备电源、LED恒流驱动电源以及工业自动化控制板卡中的负载开关。在这些系统中，UT15N10凭借其高可靠性和成熟的技术平台，成为工程师优选的功率开关器件之一。

FQP15N10, STP15NF10, IRF15N10}}