型号：UT136N03
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：6.8A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：27A
　　导通电阻RDS(on)：12mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：15mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：520pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：190pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：50pF（@VDS=15V）
　　功耗PD：1.4W
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

UT136N03采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其低至12mΩ的RDS(on)（在VGS=10V条件下）使其能够在大电流应用中有效降低发热，提升能量转换效率。该器件在4.5V的栅极驱动电压下仍能保持15mΩ的低导通电阻，说明其具备良好的逻辑电平兼容性，适用于3.3V或5V供电的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了电路设计并降低了系统成本。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在低电压启动时也能可靠开启，提升了在电池供电设备中的适用性。
　　UT136N03具有优异的开关特性，输入电容仅为520pF，输出电容190pF，反向传输电容50pF，这些低电容值有助于减少开关过程中的电荷注入和延迟，从而实现快速的开关响应，适用于高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器等。同时，较低的栅极电荷（Qg）也意味着驱动功耗更低，进一步提升了系统的能效表现。
　　该器件具备良好的热稳定性，采用SOT-23封装，在合理布局和散热设计下可承受高达1.4W的功率耗散。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛的环境温度下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路及便携式设备等多样化应用场景。此外，UT136N03内置体二极管，具备一定的反向恢复能力，能够在感性负载切换时提供续流路径，保护主开关元件。
　　从可靠性角度看，UT136N03经过严格的生产测试和质量管控，具备高抗静电（ESD）能力和耐压性能，栅源间可承受±20V电压，防止因误操作或瞬态干扰导致器件损坏。其结构设计优化了电流分布均匀性，避免局部热点形成，延长了使用寿命。总体而言，UT136N03是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，适用于对空间、效率和成本敏感的应用场合。

UT136N03广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适合需要高效开关控制的场景。典型应用包括便携式电子设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的电池充放电控制与负载开关电路。在这些设备中，UT136N03可用于实现低静态功耗的待机模式切换或电源路径管理，提升续航能力。此外，它也常用于DC-DC转换器中的同步整流部分，替代传统肖特基二极管以降低导通压降和功耗，提高转换效率，特别是在降压型（Buck）变换器中表现优异。
　　在电机驱动领域，UT136N03可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端开关，配合其他MOSFET实现正反转控制和制动功能。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够减少电机驱动过程中的能量损耗，提升驱动效率并降低温升。在LED照明控制中，该器件可用于PWM调光电路中的开关元件，精确控制LED亮度，同时保持高效率和低噪声。
　　工业自动化设备中的传感器电源控制、继电器驱动、电磁阀开关等场合也可采用UT136N03作为功率开关，利用其高可靠性和宽温度范围适应复杂工况。此外，在USB充电接口、移动电源、智能电表、智能家居控制板等消费类和工业类产品中，UT136N03常被用作负载开关或热插拔保护开关，防止电流冲击和短路故障。其小型SOT-23封装特别适合高密度PCB布局，节省空间的同时便于自动化贴片生产。综上所述，UT136N03凭借其优异的电气性能和封装优势，已成为众多中小型功率开关应用的理想选择。

AO3400
　　Si2302DDS
　　FDS6670A
　　IRLML6344