型号：UT136E-8
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：130V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤75mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤100mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：24nC @ Vds=65V, Id=8A
　　输入电容（Ciss）：680pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

UT136E-8采用高性能沟槽型MOSFET结构，在130V耐压等级下实现了极低的导通电阻，典型值仅为75mΩ（在Vgs=10V时），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，特别适用于需要长时间持续大电流工作的电源系统。该低Rds(on)特性不仅提升了转换效率，还减少了散热设计的复杂度，允许使用更小尺寸的散热片甚至自然冷却方式，有助于缩小整机体积并降低成本。此外，在4.5V栅压下的Rds(on)控制在100mO以内，表明其具备良好的逻辑电平驱动能力，可直接由3.3V或5V微控制器IO口或通用驱动IC驱动，无需额外升压电路，简化了外围设计。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为24nC，配合680pF的输入电容，使得在高频开关应用中所需的驱动能量较小，有效减轻了驱动芯片的负载压力，降低了驱动级的功耗，有利于提高整个系统的能效表现。同时，较低的米勒电容（Crss）减少了开关过程中因电压突变引起的误触发风险，增强了抗噪声干扰能力。UT136E-8具备快速的开关响应时间，反向恢复时间trr仅为30ns，这意味着在同步整流或半桥拓扑中与体二极管相关的损耗被大幅抑制，进一步提升了高频运行时的效率。
　　从可靠性角度看，UT136E-8经过严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲雪崩能量承受能力，能够在遭遇瞬态过压或感性负载突然断开时维持器件完整性，避免因电压尖峰导致击穿失效。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工业环境温度变化，确保在高温环境下长期稳定运行。TO-252封装提供了良好的热传导路径，通过PCB敷铜即可实现有效散热，满足中等功率应用的热管理需求。综合来看，UT136E-8在性能、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是一款适用于多种电源拓扑结构的理想选择。

UT136E-8广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、LED驱动电源、笔记本电脑电源模块以及工业用隔离式DC-DC变换器等。在这些应用中，它常作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源转换效率，尤其是在轻载和满载工况下均能保持较高的能效水平。在非隔离型 buck（降压）转换器中，UT136E-8可作为高端开关管，配合肖特基二极管或另一颗MOSFET构成同步整流结构，实现高效直流电压调节，适用于服务器主板、路由器电源管理单元等对效率要求较高的场景。
　　在电机驱动领域，UT136E-8可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为桥臂上的开关元件，控制电流方向和通断。其快速的开关响应能力和较强的电流承载能力，使其能够精准响应PWM调速信号，实现平稳的速度控制和动态响应。同时，较低的导通压降减少了发热，延长了电机驱动板的使用寿命。
　　此外，该器件也常见于电池管理系统（BMS）、太阳能充电控制器、逆变器以及各类电子负载和电源开关模块中。在这些系统中，UT136E-8承担着通断控制、能量传递和保护功能。例如，在电池充放电回路中，它可以作为防反接或过流保护的开关元件；在逆变器的初级侧，可用于推挽或半桥拓扑结构中的功率切换。由于其封装便于焊接和维修，且性价比高，因此在消费类电子产品和工业设备中得到了广泛应用。

UT136E-8, UT130N08, FQP13N10, STP8NK10ZFP, IPB041N10N3