型号：UT134E
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A（@Tc=25℃）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：6.0mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约3300pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：约950pF（@Vds=15V）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　功耗（Pd）：125W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（D-PAK）

UT134E采用先进的沟槽式MOSFET工艺，确保了其在低电压应用中的卓越性能表现。其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为4.5mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。尤其是在大电流应用场景下，如电池供电系统或高效率DC-DC转换器中，这种低Rds(on)特性可以有效减少发热，提升能效。同时，该器件在Vgs=4.5V时仍能保持6.0mΩ的低导通电阻，说明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的场合，例如微控制器输出引脚或门极驱动IC直接控制，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有较高的最大漏极电流承载能力，连续漏极电流可达80A（在理想散热条件下），短时脉冲电流更可达到320A，使其能够应对瞬态过载或启动冲击电流较大的应用需求，如电机启动、电容充电等。此外，UT134E的输入电容和输出电容设计合理，配合快速的开关响应特性，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减小开关损耗，提高电源系统的动态响应速度。其阈值电压范围为1.0V至2.5V，保证了器件在较低栅极电压下即可开启，进一步增强了其对低电压控制信号的兼容性。
　　UT134E的TO-252封装不仅提供了良好的电气连接，还具备较强的散热能力，通过将裸露的焊盘焊接至PCB上的大面积铜箔，可实现高效的热量传导与散失，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。该封装也支持自动化贴片生产，适合现代SMT工艺流程，有利于大规模制造。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场合。此外，UT134E符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保生产。综合来看，UT134E凭借其低导通电阻、高电流能力、优良的热性能和广泛的适用性，成为众多中低端功率开关应用中的优选器件。

UT134E广泛应用于多种中低电压功率开关场景，尤其适用于需要高效率、大电流和小型化设计的电子系统。在DC-DC转换器中，该器件常被用作同步整流开关或主开关管，利用其低导通电阻特性来降低传导损耗，提升转换效率，特别适合于降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构。在电池管理系统（BMS）中，UT134E可用于电池充放电控制回路，作为充放电MOSFET实现对电流路径的通断控制，其高电流能力和快速响应特性有助于保护电池免受过流或短路损害。
　　在电机驱动领域，UT134E可用于H桥或半桥电路中作为功率开关元件，驱动直流有刷电机或步进电机，适用于电动工具、玩具、家电（如风扇、洗衣机）等产品。其快速的开关速度和低栅极电荷特性有助于减少驱动功耗，提升控制精度。在LED照明驱动电源中，该器件可用于恒流源的开关调节部分，实现高效的能量转换与稳定的光输出控制，尤其适用于大功率LED模组的驱动设计。
　　此外，UT134E还可用于电源负载开关、热插拔控制器、逆变器、UPS不间断电源以及各类消费类电子产品（如笔记本电脑适配器、移动电源、智能插座）中的功率管理模块。其TO-252封装便于散热设计，适合在空间受限但需较高功率密度的应用中使用。由于其具备良好的抗冲击电流能力和温度稳定性，UT134E也被广泛用于工业控制设备、通信电源模块和汽车电子辅助系统中，作为关键的功率开关元件，提供可靠、高效的电能控制解决方案。

SISS07DN,DMG2400U,MTP3055E,IRLR2905,FDMS86201