型号：UT12N10L-TN3-R
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：100V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　脉冲漏极电流(Idm)：48A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　功耗(Pd)：2.5W
　　导通电阻(Rds(on))：11mΩ @ Vgs=10V, 12A
　　导通电阻(Rds(on))：13mΩ @ Vgs=4.5V, 12A
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1070pF @ Vds=50V
　　输出电荷(Qg)：19nC @ Vds=80V, Vgs=10V
　　反向恢复时间(Trr)：22ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：DFN2533-8L

UT12N10L-TN3-R采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下可低至11mΩ，显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。这种低Rds(on)特性特别适用于大电流应用场景，如同步降压转换器中的上下桥臂开关，能够有效减少发热并提升功率密度。器件的栅极电荷Qg仅为19nC（典型值），意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了控制器的负担并减少了开关过程中的动态损耗。此外，其输入电容Ciss为1070pF，在高频工作下仍能保持良好的响应速度，有助于实现快速开关动作。
　　该MOSFET具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了对异常电压冲击的耐受能力，提升了系统稳定性。其阈值电压Vgs(th)在2.0V至3.0V之间，确保了在逻辑电平信号驱动下的可靠开启，兼容多种常见的PWM控制器输出。UT12N10L-TN3-R还具备较低的输出电容Coss和反向恢复时间Trr（22ns），这使得体二极管在反向恢复过程中产生的损耗大幅降低，尤其在同步整流拓扑中可有效防止电压尖峰和电磁干扰问题，提升系统EMI性能。
　　DFN2533-8L封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，而且底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，实现高效散热。该封装还具有较低的寄生电感，有助于抑制开关过程中的振铃现象。器件的工作结温可达+150℃，支持高温环境下的长期稳定运行，适用于工业级和汽车电子领域。同时，产品通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步拓展了其在车载电源系统中的应用前景。

UT12N10L-TN3-R广泛应用于各类高效开关电源系统中，尤其是在需要高电流密度和小型化设计的场合。典型应用包括同步降压（Buck）转换器，作为主开关或同步整流管使用，常见于主板VRM、GPU供电模块以及DC-DC电源模块中。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件在轻载和满载条件下均能维持较高的转换效率，满足节能与散热设计需求。此外，它也适用于升压（Boost）和SEPIC等拓扑结构，用于电池供电设备中的电压调节，如移动电源、无人机电源管理系统和便携式医疗仪器。
　　在电池保护电路和负载开关应用中，UT12N10L-TN3-R可作为通断控制元件，实现低损耗的电源路径管理，避免传统机械继电器带来的体积大、寿命短等问题。其快速响应能力有助于实现精确的上电时序控制和短路保护功能。在电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥结构中的低端或高端开关，驱动小功率直流电机或步进电机，适用于智能家居设备、电动工具和机器人控制系统。
　　通信设备中的热插拔电源模块也常采用此类高性能MOSFET，利用其软启动功能限制浪涌电流，保护后级电路。此外，由于其封装尺寸小且热性能良好，UT12N10L-TN3-R非常适合用于空间受限的嵌入式系统、工业传感器节点、IoT终端设备以及LED驱动电源等场景。在汽车电子中，可用于车身控制模块、车载充电器或辅助电源单元，提供可靠的功率开关解决方案。

UT12N10L-TN3-F
　　AP12N10L-G1
　　SI12N10L-T1-E3
　　AOZ12N10L