型号：UT108N03L-TM3-T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：10A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：40A
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：960pF @ VDS=15V
　　输出电荷(Qg)：19nC @ VGS=10V
　　反向恢复时间(trr)：24ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN-8(3.3x3.3)
　　安装类型：表面贴装

UT108N03L-TM3-T采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备优异的电气性能和热稳定性。其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为5.8mΩ，显著降低了在大电流条件下的功率损耗，特别适用于高效率电源管理系统。同时，在VGS=4.5V时仍能保持7.5mΩ的低导通阻抗，使其兼容于3.3V或5V逻辑驱动电路，满足现代低电压控制需求。该器件的栅极电荷Qg典型值为19nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于减少开关损耗并提高系统的开关频率能力，适用于高频DC-DC变换器设计。
　　该MOSFET的输入电容Ciss为960pF（测试条件VDS=15V），输出电容Coss和反向传输电容Crss均经过优化，确保在高速开关应用中具有良好的噪声抑制能力和动态响应特性。其反向恢复时间trr为24ns，体二极管具有较快的恢复速度，可有效减少在桥式或同步整流拓扑中的反向恢复损耗，提升系统效率。此外，器件具备1.0V至2.0V的阈值电压范围，确保在启动阶段能够快速开启，避免因阈值过高导致的延迟导通问题。
　　UT108N03L-TM3-T采用DFN-8（3.3x3.3mm）封装，底部带有散热焊盘，有利于热量从芯片传递到PCB，提升散热效率。该封装体积小，适合高密度布局，广泛用于移动电源、笔记本电脑电源管理模块、USB PD快充适配器等紧凑型电子产品。器件工作结温范围为-55°C至+150°C，支持严苛环境下的长期可靠运行，并通过了AEC-Q101等可靠性测试标准，具备较强的抗静电（ESD）能力和抗浪涌性能，增强了系统鲁棒性。

UT108N03L-TM3-T主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电源管理场景。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，作为上下管开关元件，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率；在负载开关电路中用于控制电源路径通断，防止浪涌电流冲击后级电路；也可用于电池供电设备中的电源切换与保护，如智能手机、平板电脑、移动电源等便携式电子产品。
　　此外，该器件适用于电机驱动模块，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够提供足够的电流驱动能力并保持较低温升；在热插拔控制器中，可用于实现平滑上电和过流保护功能。由于其良好的热性能和小型化封装，也常被集成在多层PCB的高密度电源模块中，用于服务器主板、通信设备电源单元及LED驱动电源等领域。得益于其稳定的性能和广泛的适用性，UT108N03L-TM3-T已成为中低端功率应用中的主流选择之一。

SI2302DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDS6680A
　　IRLL3303PBF
　　BSS138K