型号：UT100N03G-K08-5060-R
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@TC=70°C）：10A
　　脉冲漏极电流IDM：35A
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=10V）：≤4.8mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：≤6.0mΩ
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.4V（范围1.0~2.0V）
　　输入电容Ciss：典型值520pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：典型值190pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容Crss：典型值45pF（@VDS=15V）
　　总栅极电荷Qg（@VGS=10V, ID=10A）：典型值11nC
　　开启延迟时间td(on)：典型值8ns
　　上升时间tr：典型值28ns
　　关断延迟时间td(off)：典型值22ns
　　下降时间tf：典型值18ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020-8L（双侧冷却）
　　安装方式：表面贴装SMD

UT100N03G-K08-5060-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，显著降低了在大电流条件下的导通损耗，从而提升了整体系统的能效表现。该器件在VGS=10V时RDS(on)不超过4.8mΩ，在VGS=4.5V时也不超过6.0mΩ，说明其在低压驱动条件下仍能保持良好的导通能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，适用于现代低电压、高效率的电源架构。器件的栅极电荷Qg仅为11nC左右，意味着其驱动功耗较低，能够支持更高的开关频率应用，如同步整流、高频DC-DC变换器等，有效减小外围电感和电容的体积，提升功率密度。
　　该MOSFET具有优良的热性能，得益于DFN2020-8L封装内置的散热焊盘设计，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至底层，实现高效的热管理。这种封装还具备较小的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提高系统可靠性。此外，其输入、输出及反向传输电容均经过优化，确保在高速开关过程中动态损耗最小化。器件的阈值电压在1.0V至2.0V之间，保证了可靠的开启控制，同时避免误触发。
　　UT100N03G-K08-5060-R的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其脉冲漏极电流可达35A，展现出强大的瞬态负载承受能力，适合用于电机启动、电池充放电等存在冲击电流的场合。所有参数均在严格的质量控制下进行测试，符合RoHS环保要求，并通过了相关可靠性验证，确保长期使用的稳定性与一致性。

该器件广泛应用于各类高效电源系统中，包括但不限于同步降压/升压转换器、DC-DC模块、POL（点负载）电源、笔记本电脑和移动设备的电源管理单元、锂电池保护电路、USB PD快充适配器、LED驱动电源以及小型电机驱动电路。由于其小尺寸封装和高性能特性，特别适合用于空间受限但对效率要求高的便携式电子产品。在电池供电系统中，UT100N03G-K08-5060-R可作为主开关管或同步整流管使用，有效降低能量损耗，延长续航时间。在多相供电架构中，多个此类MOSFET并联使用可分担电流，提升系统整体输出能力与散热性能。此外，也可用于热插拔控制器、负载开关和过流保护电路中，利用其快速响应能力和低导通阻抗实现高效、安全的电源切换功能。凭借其优异的电气和热性能，该器件在消费电子、工业控制、通信设备和车载电子等领域均有广泛应用前景。

SiSS100DN-T1-E3
　　AOZ5216NQI-02