时间：2025/10/6 20:23:13
阅读：7
UST1C101MDD是一款由Samsung Electro-Mechanics（三星电机）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于通用型表面贴装电容器系列。该器件主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用。其型号遵循行业标准命名规则，其中'U'代表尺寸代码（0805英制封装，即2012公制尺寸），'S'表示电压等级（16V DC），'T'为温度特性代码（X7R），'1C'对应额定电压16V，'101'表示电容值为100pF（即10 × 10^1 pF），'M'代表电容容差±20%，'D'为端接类型（镍阻挡层），最后一个'D'可能表示产品批次或包装形式。这款电容器采用无铅、符合RoHS标准的制造工艺，适用于自动贴片生产线，广泛用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制模块中。由于其稳定的电气性能和良好的温度特性，UST1C101MDD在多种工作环境下均能保持可靠的运行表现。
尺寸封装：0805（2012）
电容值：100pF
额定电压：16V DC
电容容差：±20%
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
端接类型：镍阻挡层（Ni barrier）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
存储温度范围：-55°C ~ +125°C
耐焊热性：满足JEDEC J-STD-020标准
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 时间常数 ≥100s（取较大者）
耐压能力：测试电压为额定电压的2.5倍（40V DC）
ESR（等效串联电阻）：典型值低于100mΩ（具体取决于频率）
自谐振频率（SRF）：数百MHz级别（因电容值小而较高）
UST1C101MDD所采用的X7R陶瓷介质具有优良的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，这一特性使其非常适合用于对温度敏感度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别精度的应用场景。相较于Y5V或Z5U类介质，X7R在电容稳定性和体积之间实现了良好平衡。该电容器的16V额定电压适用于低电压电源轨的去耦设计，例如为逻辑IC、运算放大器或微控制器的I/O引脚提供高频噪声滤波。
其0805（2012）封装尺寸兼顾了焊接可靠性与PCB布局灵活性，既适合高密度贴装，又能保证足够的机械强度，降低因热应力或机械振动导致开裂的风险。端子采用镍阻挡层结构，有效防止外部电极中的银或铜向陶瓷介质内部迁移，从而提升长期可靠性和抗湿性，延长器件使用寿命。此外，该结构还能增强耐焊接热冲击能力，支持回流焊工艺，符合现代SMT生产流程要求。
作为一款100pF的小容量电容器，UST1C101MDD在高频电路中表现出较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），因此非常适合作为高频旁路电容，能够快速响应瞬态电流变化，抑制高频噪声传播。其自谐振频率通常位于数百MHz范围内，确保在常用射频和数字信号频段内仍具备有效的去耦能力。同时，±20%的容差虽不如精密电容严格，但在大多数非关键滤波和耦合应用中完全可以接受。
该器件符合RoHS指令，不含铅、镉、汞等有害物质，满足环保法规要求，适用于出口型电子产品。其批量生产和标准化工艺也保证了良好的供货稳定性和成本效益，是中小功率电子系统中常用的被动元件之一。
UST1C101MDD多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要稳定电容性能和中等电压耐受能力的电子设备中。在消费类电子产品领域，它常被用作智能手机、平板电脑、智能电视和机顶盒中的电源管理单元（PMU）去耦电容，用于滤除DC-DC转换器输出端的高频纹波，提高供电质量。在计算机及外设产品中，如主板、显卡、内存条和USB接口电路中，该电容器可用于高速信号线的旁路处理，减少电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。
在通信设备方面，UST1C101MDD可用于路由器、交换机、基站模块中的射频前端电路或时钟线路的滤波环节，利用其良好的高频响应特性来稳定信号传输。工业控制系统中的PLC模块、传感器接口板和人机界面（HMI）设备也常采用此类电容器进行电源去耦和噪声抑制，以增强系统的抗干扰能力和运行稳定性。
此外，在汽车电子应用中，尽管该型号并非专为AEC-Q200认证设计，但在非安全关键的车载信息娱乐系统、车内照明控制或辅助电源模块中仍有使用。医疗设备中的便携式监护仪、超声探头信号调理电路等对可靠性要求较高的场合也可选用该器件进行信号耦合和滤波。总之，凡是在-55°C至+125°C温度范围内需要一个稳定、小型化、低成本且具备一定电压裕量的100pF电容器的场合，UST1C101MDD都是一个合理的选择。
GRM21BR71C101KA01L
CL21A101KBQNNNE
C2012X7R1C101K
