类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 100mA（典型值），600mV @ 200mA（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 25°C，30V 反向电压
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UST1C100MDD 的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的 PN 结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。在典型的 100mA 工作电流下，其正向压降仅为 450mV，显著降低了导通期间的能量损耗，从而提高了电源转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。此外，由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管几乎不存在反向恢复时间（trr < 1ns），因此在高频开关应用中能够有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和可靠性。
　　该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，共享一个阴极引脚，这种共阴极结构特别适用于需要对两个不同信号或电源路径进行同步整流或防倒灌保护的场合。例如，在双电源切换电路或多路输出 DC-DC 转换器中，可以利用该结构实现高效的电源路径控制。SOT-23 封装不仅体积小巧（典型尺寸约为 2.8mm x 1.9mm x 1.1mm），而且具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程，有助于降低制造成本并提高组装良率。
　　UST1C100MDD 具备出色的温度稳定性，在 -55°C 到 +125°C 的宽结温范围内仍能保持稳定的电气性能。即使在高温环境下，其反向漏电流也控制在较低水平（200μA @ 30V），避免了因漏电增加而导致的功耗上升问题。同时，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）等，确保在恶劣工作条件下长期稳定运行。Vishay 对该产品实施了严格的工艺控制和质量管理体系，保证了批次间的一致性和高可靠性，适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种应用场景。

UST1C100MDD 广泛应用于需要高效、紧凑型整流解决方案的各类电子系统中。常见用途包括便携式电子产品中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电池充放电路径隔离、多电源输入选择（如 USB 和适配器之间的切换）以及防止反向电流流动。在低压直流-直流转换器（DC-DC Converter）中，该器件常被用作同步整流的辅助二极管或用于续流（freewheeling）功能，以提升转换效率并减少发热。
　　在信号处理电路中，UST1C100MDD 可用于高速信号整流、钳位保护和逻辑电平转换。例如，在微控制器与外围设备之间的接口电路中，它可以防止过压或反向电压损坏敏感的 CMOS 输入端口。此外，该器件也适用于各种消费类电子设备中的反向极性保护，确保当电源接反而不损坏后级电路。
　　在通信模块和无线传感器网络中，由于其低功耗和快速响应特性，UST1C100MDD 被用于 RF 功放偏置电路、天线开关控制以及低噪声电源滤波路径中的去耦保护。工业自动化设备中的传感器接口、PLC 模块和远程 I/O 单元也常采用此类肖特基二极管来实现信号隔离和瞬态抑制。总之，任何需要低电压降、快速开关和小尺寸封装的整流或保护功能的应用场景，都是 UST1C100MDD 的理想选择。

[
　　 "SS12",
　　 "RB751S40",
　　 "BAT54C",
　　 "MBR0520",
　　 "PMDS3"
　　]