时间：2025/12/27 8:21:51
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USS5350L-AB3-R是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，相较于传统的硅基二极管，具备更低的导通损耗、更快的开关速度以及更高的热导率，能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。USS5350L-AB3-R属于UnitedSiC的UD系列，具有低反向恢复电荷（Qrr）和几乎无反向恢复电流的特性，显著减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了整体系统效率。该器件采用紧凑的表面贴装封装（SMD），具体为TO-252-3（D-Pak）封装形式，便于在高密度PCB布局中使用，并支持自动化装配流程。由于其优异的动态性能和热稳定性，USS5350L-AB3-R广泛应用于服务器电源、电信整流器、工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各类高功率密度DC-DC转换器中。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗浪涌能力和高可靠性，适合在长期运行的工业级环境中使用。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：50V
平均正向整流电流（IF(AV)）：50A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：340A@8.3ms
最大正向电压降（VF）：1.75V @ 50A, Tc=25°C
反向漏电流（IR）：250μA @ 50V, Tj=25°C；5mA @ 50V, Tj=150°C
反向恢复时间（trr）：典型值＜15ns
反向恢复电荷（Qrr）：典型值＜10nC
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252-3（D-Pak）
安装方式：表面贴装
极性：单个肖特基二极管
USS5350L-AB3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性，使其在高频开关电源系统中表现出远超传统硅二极管的性能。首先，该器件具有极低的正向导通压降（VF），在额定电流50A下仅为1.75V（典型值），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了能效。更重要的是，作为肖特基势垒二极管，它没有PN结所固有的少数载流子存储效应，因此在关断过程中几乎不产生反向恢复电流（Irr），反向恢复电荷（Qrr）极低（典型值小于10nC），极大地抑制了开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），这对于工作在数百kHz甚至MHz级别的高频拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）等至关重要。其次，碳化硅材料的宽带隙特性赋予了器件出色的高温工作能力，最高结温可达+175°C，且在高温下仍能维持较低的漏电流和稳定的电气性能，减少了对复杂散热系统的依赖，有助于缩小整体电源体积。此外，其快速的开关响应时间（trr < 15ns）使得系统可以实现更高的开关频率，从而减小磁性元件（如变压器和电感）的尺寸和重量，进一步提升功率密度。该器件还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达340A的非重复浪涌电流，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。TO-252-3封装提供了良好的热传导路径，配合适当的PCB铜箔设计，可有效将热量传递至散热层，确保长期可靠运行。综合来看，USS5350L-AB3-R通过材料创新和结构优化，在效率、功率密度、热管理和可靠性之间实现了卓越平衡。
USS5350L-AB3-R凭借其高效、高速和高可靠性的特点，广泛应用于各类高要求的电力电子系统中。在数据中心和通信基础设施领域，它常用于服务器电源（PSU）、电信整流器和48V砖式转换器中，作为输出整流二极管或同步整流辅助器件，显著提升轻载和满载效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准。在可再生能源系统中，该器件被用于光伏（PV）微型逆变器和组串式逆变器的直流侧旁路或交流侧整流电路，利用其低Qrr特性减少开关损耗，提高逆变效率。在电动汽车相关应用中，USS5350L-AB3-R可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）级与DC-DC变换级，帮助实现高功率密度和高效率的设计目标。此外，在工业电源、电机驱动和UPS不间断电源系统中，该二极管也常用于硬开关和软开关拓扑结构中，替代传统硅快恢复二极管或作为IGBT/MOSFET的续流二极管，以降低系统温升并提升动态响应性能。由于其表面贴装封装形式，特别适用于需要自动化生产和紧凑布局的现代高密度电源模块设计。
UF3C5050KPA,UFS3C5050KPA,SiC5350BD
