时间：2025/12/27 8:03:29
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USS5350G-AA3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）场效应晶体管（FET）器件。该器件采用先进的UJ3N SiC MOSFET技术平台设计，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件封装在紧凑且易于使用的TO-252-3（D-Pak）表面贴装封装中，适合在空间受限的应用场景中使用，同时保持良好的散热能力。USS5350G-AA3-R的额定电压为650V，典型导通电阻RDS(on)为350mΩ，在现代功率电子系统中表现出卓越的能效表现。由于其基于宽禁带半导体材料氮化镓的技术优势，相较于传统硅基MOSFET，它在开关损耗、传导损耗和整体系统效率方面均有显著提升，广泛应用于服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、工业电源以及电动汽车充电系统等领域。该器件支持高频工作，有助于减小磁性元件体积，从而实现更高功率密度的设计。此外，USS5350G-AA3-R内置体二极管，并优化了反向恢复特性，可有效降低硬开关电路中的能量损耗，提高系统可靠性。
型号：USS5350G-AA3-R
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
材料：GaN-on-Si（硅基氮化镓）
漏源击穿电压（BVDSS）：650V
栅源阈值电压（VGS(th)）：4.0V（典型值）
导通电阻（RDS(on)）：350mΩ（@ VGS = 18V）
最大连续漏极电流（ID）：10A（@ TC = 25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：40A
最大栅源电压（VGSM）：+20V / -10V
功耗（PD）：100W
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252-3（D-Pak）
安装方式：表面贴装（SMD）
USS5350G-AA3-R的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料的先进功率器件结构，这种宽禁带材料具有比传统硅更高的电子迁移率和临界电场强度，使其能够在更高电压、更高频率和更高温度下高效运行。该器件的导通电阻仅为350mΩ，在650V耐压等级的同类产品中处于领先水平，能够显著降低传导损耗，提升电源系统的整体效率。其增强型（E-mode）设计确保器件在栅极为零时处于关断状态，提高了系统安全性与设计兼容性，特别适合直接替换传统硅MOSFET而无需复杂的负压关断电路。
该器件具备极快的开关速度，开关时间通常在几十纳秒级别，大幅减少了开关过程中的交叠损耗，使得其在高频DC-DC变换器、图腾柱PFC电路和LLC谐振转换器中表现尤为出色。由于其低输出电容（COSS）和低栅极电荷（Qg），驱动电路所需功耗更低，进一步提升了系统能效。此外，USS5350G-AA3-R的反向恢复电荷（Qrr）极低，甚至接近于零，这在桥式拓扑或需要体二极管导通的场合中极大减少了反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰（EMI），提升了系统稳定性。
在热管理方面，TO-252-3封装虽然体积小巧，但通过优化内部引线和焊料工艺，实现了较低的热阻（RθJC），有助于将芯片热量有效传导至PCB，配合适当的散热设计可满足高功率密度需求。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。所有这些特性共同使USS5350G-AA3-R成为下一代高效率电源设计的理想选择。
USS5350G-AA3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在数据中心和服务器电源中，该器件可用于有源钳位反激（ACF）、半桥LLC及图腾柱无桥PFC拓扑，帮助实现98%以上的转换效率，并支持更高功率密度的模块化设计。在电信整流器和48V分布式电源系统中，其高频特性可减小变压器和电感体积，提升系统集成度。在可再生能源领域，如光伏微型逆变器和储能系统，该器件凭借其低温升和高可靠性，有助于延长设备寿命并提升发电效率。此外，在工业电机驱动、电动车辆车载充电机（OBC）和直流快充桩等对能效和空间要求严苛的应用中，USS5350G-AA3-R也展现出显著优势。其增强型设计降低了驱动复杂度，便于工程师进行快速开发和系统升级。
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"USS5350G-A01-R",
"UJ3N350650K",
"GS-065-035-1-D"
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