产品类型：肖特基势垒二极管
　　配置：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF @ IF=1A）：450mV
　　最大反向漏电流（IR @ VR=20V, 25°C）：0.1μA
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：US6（SOD-323F）
　　安装类型：表面贴装（SMT）

USR1H2R2MDD具备优异的电气性能和高可靠性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在1A电流下典型值仅为450mV，显著降低了功率损耗，提高了系统整体效率。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，该器件拥有非常快的反向恢复时间，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。
　　该二极管采用US6小型化表面贴装封装，尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm，极大节省了PCB布局空间，适合高密度集成设计。其封装材料符合RoHS环保标准，并具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的热表现。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
　　在电气特性方面，USR1H2R2MDD具有较低的反向漏电流，在室温下仅为0.1μA，即使在高温环境下也能保持相对稳定，避免因漏电流增大而导致的功耗上升问题。其最大平均整流电流可达1A，峰值浪涌电流高达30A，具备较强的瞬态过载能力，可有效应对启动或突发负载情况下的电流冲击。综合来看，该器件在效率、尺寸、可靠性和热性能之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

主要用于便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；适用于各类DC-DC转换器电路，尤其是同步整流架构中的续流与箝位二极管；可用于电池充电电路中的防反接保护；广泛应用于适配器、USB供电模块及低电压电源分配网络；也可作为高频整流元件用于无线充电接收端电路；适用于对空间和能效要求较高的工业传感器、IoT节点和医疗电子设备。