类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流反向电压（VR）：100V
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值0.45V（在10mA时），最大值0.6V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在25°C，100V下）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　安装类型：表面贴装（SMD）

USR1C100MDD的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，从而显著降低了功率损耗并提高了系统整体效率。这种低VF特性特别适用于低压大电流的应用场景，例如在同步整流或电池供电系统中，能够有效减少发热，提升能效比。其双二极管共阴极结构设计使得在半波电压倍增电路或反极性保护电路中具有天然优势，简化了外围电路布局，节省PCB空间。该器件的反向恢复时间极短（小于4ns），几乎不存在反向恢复电荷，因此在高频开关环境中不会产生明显的开关损耗或电磁干扰，确保了系统的稳定性与EMI兼容性。
　　在可靠性方面，USR1C100MDD经过严格的质量控制流程制造，具备优异的抗湿性和耐焊接热性能，符合JESD22-A114标准规定的可靠性测试要求。其SOT-23封装不仅体积小巧（约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），还提供了良好的散热路径，有助于将热量从PN结传导至PCB，延长器件寿命。该二极管对瞬态过电流具有较强的承受能力，可在短时间内承受高达500mA的峰值脉冲电流，适用于突发负载或启动浪涌条件下的保护应用。此外，其反向漏电流在常温下仅为微安级别，在高温环境下也保持较低水平，确保在宽温范围内工作的稳定性。
　　该器件还具备良好的ESD防护能力，增强了在装配和使用过程中的鲁棒性。由于其无铅且符合RoHS指令，USR1C100MDD适用于绿色环保电子产品设计。同时，它通过了AEC-Q101车规级认证的类似工艺流程，虽然不直接标注为汽车级，但在部分车载辅助电源系统中也有成功应用案例。总体而言，USR1C100MDD以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高密度电子设计中不可或缺的关键元器件之一。

USR1C100MDD广泛用于各类需要高效整流与低功耗特性的电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机和平板电脑，它常被用作电池充电管理电路中的防反接保护二极管，防止电池反向接入导致主板损坏。同时，在DC-DC升压或降压转换器中，该器件作为续流二极管使用，利用其快速响应和低VF特性来提高转换效率，延长电池续航时间。在USB电源接口、移动电源（Power Bank）和无线充电模块中，USR1C100MDD用于实现输入电压的选择与隔离，确保多路电源之间的安全切换。
　　在通信设备领域，该二极管可用于信号整流、包络检波以及RF耦合电路中的钳位保护，尤其适合高频小信号处理场合。工业控制系统中，它常见于传感器信号调理电路、PLC模块的电源隔离单元以及远程终端单元（RTU）的供电路径中，提供稳定的电压箝位与瞬态抑制功能。此外，在LED驱动电源、小型电机控制器和智能家居设备中，USR1C100MDD凭借其紧凑封装和高可靠性，成为理想的选择。值得一提的是，在一些低功率太阳能充电控制器中，该器件也被用来防止夜间电池倒灌，提升能源利用率。总之，凡涉及小电流、高频、高效率整流需求的场景，USR1C100MDD均表现出卓越的适用性与性价比。

SR100FCT-F, SS12-S, B1100WS, MMBD914WT, PMEG2010EAPE