产品类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向电流（IF）：200mA
　　正向电压（VF）：典型值0.35V（在10mA时）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1A
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在25°C，30V时）
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：USP-6B06

USP1V3R3MDD1TD具备多项优异的技术特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，得益于肖特基势垒结构，该器件具有极低的正向导通电压，典型值仅为0.35V（在10mA条件下），相比传统PN结二极管可显著降低导通损耗，提升整体能效，特别适合电池供电设备以延长续航时间。其次，其采用的USP超小型封装尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.44mm，体积紧凑，非常适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对轻薄化和小型化的设计趋势。此外，该封装具有良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热，保证器件在长时间运行中的稳定性。
　　该器件的双二极管配置提供了更高的集成度，在需要多个整流或保护功能的电路中可减少元件数量，简化设计流程，降低生产成本。其最大反向重复电压为30V，适用于低压直流电路中的反向电压保护和信号隔离应用。在高温环境下，反向漏电流控制在较低水平（最大10μA @ 30V, 25°C），确保了在待机或低功耗模式下的电路稳定性。同时，该器件具备良好的浪涌电流承受能力（IFSM = 1A），可在瞬态过载条件下提供可靠的保护功能。
　　USP1V3R3MDD1TD还通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其具备较高的环境适应性和长期运行的可靠性，不仅适用于消费电子，也可用于汽车电子中的非动力系统应用。其无铅（Pb-free）和符合RoHS环保要求的设计，符合现代绿色电子产品的制造标准。此外，该器件支持回流焊工艺，便于自动化SMT贴装，提高了生产效率和良品率。综合来看，USP1V3R3MDD1TD是一款高性能、高可靠性的微型肖特基二极管，适用于多种复杂和严苛的应用场景。

USP1V3R3MDD1TD广泛应用于各类便携式和高密度电子设备中。在移动通信领域，常用于智能手机和平板电脑的电源管理电路中，作为电池充电路径的防反接保护二极管，防止电池反向放电损坏主控芯片。在USB接口电路中，可用于VBUS线路的电压箝位和静电泄放，保护后端IC免受异常电压冲击。在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，因其超小封装和低功耗特性，被用于升压或降压转换器的同步整流环节，提升DC-DC转换效率，延长电池使用时间。
　　在物联网（IoT）终端设备中，该器件常用于传感器信号调理电路中的电平隔离和噪声抑制，确保信号传输的准确性。在LED驱动电路中，可用作续流二极管，防止电感反电动势对驱动芯片造成损害。此外，在嵌入式微控制器单元（MCU）的I/O端口保护电路中，USP1V3R3MDD1TD可作为ESD保护和电压钳位元件，防止外部静电或过压事件导致芯片损坏。在汽车电子系统中，尽管功率较小，但仍可用于车身控制模块、信息娱乐系统或车载传感器接口中的信号整流与保护功能。
　　由于其双二极管结构，该器件也适用于桥式整流电路的半桥部分或差分信号路径中的双向保护。在无线充电接收模块中，可用于整流交流感应电压并为负载供电。总之，USP1V3R3MDD1TD凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，已成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一，广泛服务于消费电子、工业控制、医疗电子和汽车电子等多个行业领域。

RB751V40T1U
　　RB751S40T1U
　　DF02U