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USFB13L-RTK 发布时间 时间:2025/9/11 19:09:55 查看 阅读:7

USFB13L-RTK 是一款由 UnitedSiC(现为 Littelfuse 的一部分)制造的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET),属于功率半导体器件。这款器件主要设计用于高效率、高频率的功率转换应用,如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和电源管理系统。USFB13L-RTK 采用了先进的碳化硅技术,具有极低的导通电阻和开关损耗,能够在高温和高电压环境下稳定工作。

参数

类型:碳化硅(SiC)FET
  漏源电压(VDS):1200V
  连续漏极电流(ID)@ 25°C:80A
  导通电阻(RDS(on)):13mΩ
  封装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  功耗(Ptot):400W
  栅极电荷(Qg):200nC
  短路耐受能力:600A @ 100μs

特性

USFB13L-RTK 的碳化硅FET技术带来了显著的性能优势。首先,其极低的导通电阻(13mΩ)使得在高电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。其次,由于碳化硅材料的优异特性,该器件具备出色的高温工作能力,能够在175°C的结温下稳定运行,无需额外的散热措施即可应对高功率密度设计。此外,该器件的短路耐受能力高达600A(持续100μs),提供了良好的鲁棒性和可靠性,适用于严苛的工作环境。其快速开关能力也有助于降低开关损耗,提升系统响应速度。这些特性使得 USFB13L-RTK 成为高性能功率转换应用的理想选择。
  在封装方面,该器件采用表面贴装(SMD)封装形式,有助于简化PCB布局并提高装配效率。同时,其低寄生电感设计也有助于减少高频开关中的振荡和电磁干扰(EMI)。此外,该器件的栅极电荷(Qg)仅为200nC,使得驱动电路的设计更为简便,进一步降低了驱动损耗。

应用

USFB13L-RTK 主要应用于高效率、高功率密度的电力电子系统中。例如,在工业电源系统中,该器件可用于构建高效率的DC-DC转换器和AC-DC整流器,以提高能源利用率。在电动汽车(EV)领域,它可被用于车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)以及电机控制器,以提升整体能效和系统可靠性。此外,在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风力发电变流器,USFB13L-RTK 可以显著提高系统的转换效率和稳定性。在工业自动化和电机驱动应用中,该器件能够支持高频开关操作,提高系统响应速度并减少能量损耗。在通信电源和服务器电源系统中,其高效能特性也有助于降低散热需求,提升整体系统的紧凑性和可靠性。

替代型号

SCT3045KL, USFSC13AGH2B, UF3SC130060K3S

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