USBUF03W6 时间：2025/7/22 21:41:54 阅读：6

USBUF03W6是一款由美国半导体公司（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）制造的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（FET），主要用于高效率功率转换应用。该器件基于SiC宽禁带半导体技术，具有优异的导通和开关性能，适用于高频率、高效率的电源系统设计。

参数

类型：碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET）
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　导通电阻（RDS(on)）：3mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷（Qg）：75nC
　　输入电容（Ciss）：5000pF
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：650V
　　连续漏极电流（@25°C）：180A
　　功耗（Ptot）：300W

特性

USBUF03W6采用先进的碳化硅半导体技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和极高的开关效率。其3mΩ的RDS(on)显著降低了导通损耗，适用于大电流和高功率密度应用。该器件支持高达180A的漏极电流，在高功率变换器中表现出色，如服务器电源、电动汽车充电系统和工业电源。TO-247封装形式具备良好的热管理和机械稳定性，适用于高温环境下的稳定运行。此外，SiC材料本身具有较高的热导率和耐温能力，使得USBUF03W6能够在高温下保持优异的性能。其高击穿电压（650V）使其适用于各种中高电压功率转换场景，如图腾柱PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器和逆变器等。