USBUF03W6是一款由美国半导体公司(UnitedSiC,现为Qorvo的一部分)制造的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管(FET),主要用于高效率功率转换应用。该器件基于SiC宽禁带半导体技术,具有优异的导通和开关性能,适用于高频率、高效率的电源系统设计。
类型:碳化硅(SiC)功率场效应晶体管(MOSFET)
最大漏源电压(VDS):650V
最大漏极电流(ID):180A
导通电阻(RDS(on)):3mΩ
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):5000pF
漏极-源极击穿电压(BVDSS):650V
连续漏极电流(@25°C):180A
功耗(Ptot):300W
USBUF03W6采用先进的碳化硅半导体技术,具备极低的导通电阻(RDS(on))和极高的开关效率。其3mΩ的RDS(on)显著降低了导通损耗,适用于大电流和高功率密度应用。该器件支持高达180A的漏极电流,在高功率变换器中表现出色,如服务器电源、电动汽车充电系统和工业电源。TO-247封装形式具备良好的热管理和机械稳定性,适用于高温环境下的稳定运行。此外,SiC材料本身具有较高的热导率和耐温能力,使得USBUF03W6能够在高温下保持优异的性能。其高击穿电压(650V)使其适用于各种中高电压功率转换场景,如图腾柱PFC(功率因数校正)电路、DC-DC转换器和逆变器等。
该器件广泛应用于高效率电源系统,如服务器电源、电信整流器、光伏逆变器、电动汽车车载充电器(OBC)、电池储能系统以及工业电机驱动等。由于其高效率和低损耗特性,也常用于高频功率转换器和紧凑型电源模块设计。
UF3SC065018K3S(Qorvo)、SICMOSFET650V180A、C3M0032120K(Wolfspeed)