类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　极性：单向
　　反向待机电压（VRWM）：4.7 V
　　击穿电压（VBR）：最小 5.03 V，典型 5.33 V，最大 5.63 V
　　钳位电压（VC）：9.2 V（在 IPP = 0.435 A 条件下）
　　峰值脉冲功率（PPPM）：400 W（8/20 μs 波形）
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA @ 4.7 V
　　响应时间：≤ 1 ps（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　引脚数：2
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限时间）

USA1V4R7MDD 的核心特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应过压事件，有效防止静电放电（ESD）对后级电路造成损坏。该器件采用硅 PN 结雪崩击穿机制，在正常工作电压下呈现极高阻抗状态，几乎不消耗系统能量；当线路电压超过其击穿阈值时，迅速进入低阻导通状态，将瞬态电流引导至地，从而维持线路电压在安全范围内。这种自恢复式保护机制无需外部控制电路即可实现连续防护，极大提升了系统的可靠性与稳定性。
　　另一个显著特点是其高能量吸收能力。尽管体积小巧，但 USA1V4R7MDD 可承受高达 400 W 的峰值脉冲功率，适用于大多数工业和消费类电子产品中常见的浪涌环境。其低钳位电压（9.2 V）确保即使在大电流冲击下，输出端电压也不会升得过高，有效保护敏感 IC 免受过压应力影响。同时，器件具有非常低的动态内阻，这使得在相同瞬态电流下产生的压降更小，进一步增强了保护性能。
　　该 TVS 二极管还具备出色的温度稳定性，其击穿电压随温度变化较小，保证了在宽温环境下的一致性表现。此外，SMA 封装提供了良好的散热性能和机械强度，适合自动贴片生产线使用，提高组装效率并降低制造成本。器件通过了 AEC-Q101 认证，可用于汽车电子系统，并符合无卤素和 RoHS 要求，满足现代环保法规。其高可靠性使其在长期运行中不易老化或失效，非常适合部署于需要长时间稳定运行的关键系统中。

USA1V4R7MDD 广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其适用于低压直流电源轨和信号线路的防护。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于 USB 接口、充电端口和电池管理电路的 ESD 保护，抵御人体接触带来的静电冲击。在工业控制系统中，它被部署于 PLC 输入/输出模块、传感器接口和现场总线通信线路，防止因电机启停或雷击感应引起的电压尖峰损坏控制器。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和 ADAS 传感器供电线路，提供稳健的瞬态抑制能力以应对车辆点火、负载突降等复杂电气环境。此外，在通信设备中，如路由器、交换机和光模块，USA1V4R7MDD 常用于保护 RS-232、RS-485、CAN 总线等差分或单端信号线，保障数据传输的完整性与设备安全性。
　　由于其单向结构设计，特别适合正电压供电系统的保护，例如 +5 V 和 +3.3 V 逻辑电源轨。在嵌入式系统中，它可以并联在微处理器、FPGA 或存储器的电源引脚上，防止启动或断电过程中的电压反弹造成误操作或永久性损伤。同时，该器件也适用于医疗仪器、智能家居设备和物联网节点等对可靠性和安全性要求较高的应用场景。

SMAJ5.0A
　　SMCJ5.0A
　　P6KE5.0A
　　TPSMAJ5.0A
　　ESD5Z5V0B