时间：2025/10/8 5:12:14
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USA1V100MDD是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路保护，以防止因静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应或其他瞬态过电压事件而造成的损坏。该器件采用 SMC（DO-214AB）封装，具有较高的功率处理能力和快速响应时间，适用于需要高可靠性保护的工业、消费电子和通信设备中。USA1V100MDD 的设计目标是提供单向的过电压保护，意味着它在正常工作电压下表现为高阻抗状态，而在出现瞬态高压时迅速切换到低阻抗状态，将多余的能量导通至地，从而保护后级敏感元件。
该器件的标称击穿电压为 111V，最大钳位电压为 170V，在 8/20μs 浪涌电流测试条件下可承受高达 100A 的峰值脉冲电流，表明其具备较强的瞬态能量吸收能力（符合 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-5 标准）。此外，其低漏电流（通常小于 1μA）和快速响应时间（皮秒级）使其非常适合用于直流电源线、信号线路以及接口端口的保护应用。
类型：单向 TVS 二极管
封装：SMC（DO-214AB）
反向关态电压（VRWM）：100V
击穿电压（VBR）：最小 111V，典型 117V，最大 123V
最大钳位电压（VC）：170V（在 IPP = 100A，8/20μs 条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：100A（8/20μs）
峰值脉冲功率（PPPM）：1600W（8/20μs）
漏电流（IR）：≤1μA @ 100V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
USA1V100MDD 具备出色的瞬态过电压抑制能力，能够在极端电气环境下稳定运行。其核心特性之一是高能量吸收能力，额定峰值脉冲功率达到 1600W，适用于承受如雷击感应或大电流浪涌等高强度瞬态干扰。该器件采用单向结构设计，适合用于正极性直流电源系统的保护，例如开关电源输出端、电机驱动电路或电池供电系统中的电压轨保护。由于其快速响应时间（通常在皮秒级别），它可以在瞬态电压上升初期就立即导通，有效限制电压尖峰对下游集成电路（如 MCU、FPGA 或传感器）的影响。
另一个显著特点是其稳定的电压钳位性能。当受到 100A 级别的 8/20μs 浪涌冲击时，其钳位电压被限制在 170V 以内，确保被保护电路不会承受过高电压应力。这对于维持系统稳定性至关重要，尤其是在工业自动化设备或户外通信节点这类易受电磁干扰的场景中。同时，该 TVS 二极管具有非常低的待机漏电流（典型值低于 1μA），这意味着在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，也不会引入明显的静态电流损耗，特别适合用于能效要求较高的系统设计。
从可靠性角度看，USA1V100MDD 经过严格的老化测试与环境耐久性验证，可在 -55°C 到 +150°C 的宽温度范围内长期稳定工作，满足严苛工业标准。其 SMC 封装形式不仅提供了良好的热传导性能，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，并通过了无卤素认证，支持绿色环保设计理念。整体而言，USA1V100MDD 是一款高性能、高可靠性的瞬态抑制解决方案，广泛应用于各种需要稳健防护机制的电子系统中。
USA1V100MDD 主要应用于各类需要抵御瞬态过电压的电子设备中。典型使用场景包括工业控制系统中的电源输入保护，例如 PLC 模块、变频器或人机界面设备的直流总线保护。在通信基础设施中，可用于基站电源模块、路由器或交换机的 DC 输入端口防浪涌设计。此外，该器件也常见于新能源领域，如太阳能逆变器或电动汽车充电控制单元中，用于保护高压直流链路免受开关瞬态或外部耦合干扰的影响。
在家用电器方面，空调、洗衣机或冰箱的主控板电源入口常采用此类 TVS 二极管来防范电网波动或继电器断开引起的反电动势。在汽车电子中，尽管非车规级，但在某些辅助系统（如车载信息娱乐系统或外接诊断设备）中也可作为临时保护措施使用。此外，医疗设备中对电磁兼容性要求较高的仪器也会利用 USA1V100MDD 来增强系统的抗扰度，确保关键信号路径不受瞬态干扰影响。总之，凡是有潜在过压风险的直流电压线路，尤其是工作电压接近 100V 的系统，都是该器件的理想应用场景。
SMAJ100A-13-F,SMLVTU1-100,SMDJ100A
