类型：单向TVS二极管
　　工作电压（VRWM）：4.7V
　　击穿电压（VBR）：最小5.2V，典型5.8V
　　最大钳位电压（VC）：9.2V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　峰值脉冲功率（Ppk）：600W（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　响应时间：≤1ps
　　电容值（Cj）：典型值为30pF @ 0V
　　封装形式：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单向
　　通道数：1

USA1H4R7MDD 的核心特性之一是其卓越的瞬态抑制能力，能够在极短时间内响应高达600W的峰值脉冲功率（基于8/20μs电流波形测试），有效应对如IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电、±15kV空气放电）等严苛的ESD事件。这种高性能保护源于其低动态阻抗设计，使得在发生瞬态过压时能够迅速将电压钳制在安全范围内（最大9.2V），从而防止后级集成电路因过压而损坏。该器件的击穿电压典型值为5.8V，略高于其标称反向工作电压4.7V，确保在正常电源波动下不会误触发，同时又能及时启动保护机制。其超低漏电流（最大1μA）显著降低了待机功耗，特别适合应用于电池供电设备或低功耗系统中，避免不必要的能量损耗。
　　另一个关键优势是其紧凑的SOD-123封装，占用PCB面积小，便于在高密度布局中集成，广泛用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装还具备良好的散热性能，结合硅基材料本身的热稳定性，使器件能在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，满足工业级和汽车级应用需求。此外，USA1H4R7MDD通过了AEC-Q101认证，证明其在温度循环、高温反偏、湿度寿命等多项应力测试中表现优异，适用于车载信息娱乐系统、传感器接口、USB端口保护等对可靠性要求极高的场景。其寄生电容典型值为30pF，在高频信号路径中引入的信号失真较小，因此也可用于高速数据线保护，例如UART、I2C、GPIO等数字接口。整体而言，该TVS二极管在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子系统中不可或缺的电路保护元件。

USA1H4R7MDD 广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其是在便携式消费类电子产品中发挥着重要作用。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB接口、耳机插孔、充电端口等易受人体ESD影响的输入输出端子保护。由于这些设备经常被用户直接触摸操作，极易积累静电并在插拔过程中释放，导致内部芯片损坏，因此使用 USA1H4R7MDD 可以有效吸收瞬态能量，保障主控IC和通信模块的安全。在工业控制系统中，该器件常用于PLC模块、传感器信号调理电路以及通信总线（如RS-232、RS-485）的前端保护，抵御来自外部环境的电快速瞬变干扰和雷击感应电压。
　　在汽车电子领域，随着智能座舱和车联网技术的发展，越来越多的电子接口暴露在外，容易受到电磁干扰和电源波动的影响。USA1H4R7MDD 凭借其AEC-Q101认证和宽温工作能力，被广泛用于车载导航系统、倒车摄像头、OBD-II诊断接口、BCM（车身控制模块）中的开关信号输入端等位置，提供可靠的单向过压保护。此外，在医疗设备中，尤其是手持式检测仪器和病人连接接口，电气安全性至关重要，该TVS二极管可用于防止意外静电导入，确保设备运行稳定并符合相关安规标准。其他应用还包括物联网终端节点、智能家居控制器、无线模块天线馈电线路保护以及各类嵌入式系统的电源轨防护。总之，凡是存在ESD风险或瞬态电压威胁的低压直流电路，USA1H4R7MDD 都是一个高效且经济的解决方案。

SMBJ4.7A
　　P6KE4.7A
　　TPSMA47A
　　ESD9L5.0ST5G