USA1C100MDD是一款由Vishay Siliconix公司生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的瞬态电压保护。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有紧凑的尺寸和优良的热稳定性,适用于多种电子设备中对过压事件的防护。USA1C100MDD属于齐纳二极管类型,能够在短时间内吸收高能量的瞬态脉冲,从而保护下游敏感元件免受静电放电(ESD)、雷击感应、电感负载切换等引起的电压浪涌损害。其设计符合RoHS指令要求,适合无铅焊接工艺,在现代电子产品中广泛应用。该TVS二极管具有低动态电阻、快速响应时间和高可靠性等特点,是工业控制、通信设备、消费类电子和汽车电子等领域常用的保护元件之一。
产品类型:TVS二极管
极性:单向
击穿电压:111V - 123V
工作电压:100V
钳位电压:164V @ 5.5A
峰值脉冲电流:5.5A
峰值脉冲功率:900W
漏电流:1μA
恢复时间:<1ns
封装形式:SMA(DO-214AC)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
引脚数:2
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
USA1C100MDD具备优异的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内响应并箝制突发的高压脉冲,确保被保护电路的安全运行。其核心特性之一是稳定的击穿电压范围,典型值在111V至123V之间,保证了器件在达到设定阈值时能够可靠导通,将多余能量泄放到地。这种精确的电压控制得益于高质量的硅基PN结制造工艺,使得器件在多次浪涌冲击后仍能保持性能稳定。
该器件的钳位电压为164V,当瞬态电流达到5.5A时,输出端电压被限制在此水平以下,有效防止后续电路因过压而损坏。同时,高达900W的峰值脉冲功率承受能力使其能够应对IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准所规定的严苛测试条件,包括±8kV接触放电和±15kV空气放电的ESD事件。
由于采用SMA封装,USA1C100MDD具有较小的物理尺寸(约4.3mm x 2.7mm x 2.1mm),便于在高密度PCB布局中使用,并支持自动化贴片生产流程。其低寄生电容特性(通常小于15pF)也使其适用于高速信号线路保护,不会显著影响信号完整性。此外,器件具备低于1纳秒的响应时间,几乎可以即时响应瞬态过压事件,提供近乎实时的保护效果。
热性能方面,该TVS二极管具有良好的散热设计,能够在-55℃到+150℃的宽温度范围内正常工作,适应极端环境下的应用需求。内部结构经过优化,减少了热阻,提升了长期工作的可靠性。即使在频繁遭受瞬态冲击的情况下,也能维持较长的使用寿命。
USA1C100MDD广泛应用于需要中等电压等级过压保护的场合。常见于工业控制系统中的电源输入端口保护,防止由于电网波动或设备启停造成的电压尖峰对PLC、传感器和执行器造成损害。在通信设备中,如路由器、交换机和光模块,可用于保护直流供电线路和数据接口免受雷击感应或静电干扰的影响。
在消费类电子产品中,例如智能电视、机顶盒、音响系统和家用电器,该器件常用于直流电源适配器接口处的二级保护,配合保险丝和压敏电阻构成完整的浪涌防护方案。在汽车电子领域,尽管非专为车载认证设计,但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统等非关键系统的辅助电源保护,以提升整体系统的电磁兼容性和抗扰度。
此外,它也可用于医疗设备、测试仪器和可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的辅助电路保护。由于其单向结构,特别适合用于正极性直流电源线路的保护,例如+24V、+48V或+100V供电系统。其快速响应和高能量吸收能力使其成为抵御ESD和EFT(电快速瞬变脉冲群)的理想选择。
SMBJ100A-T3/TR
P6KE100A
1.5KE100A
SAJ100A-E3/54
TPSMAJ100A