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US6K1TR 发布时间 时间:2025/12/25 10:26:40 查看 阅读:11

US6K1TR是一种超快恢复整流二极管,广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及其他需要高效能整流功能的电子电路中。该器件采用表面贴装技术(SMT)封装,通常为SMA(DO-214AC)封装形式,适合自动化贴片生产,有助于提高生产效率并减少PCB空间占用。US6K1TR的主要特点包括高反向耐压、低正向导通压降以及快速恢复时间,使其在高频开关应用中表现出色。该二极管由多家半导体制造商生产,如UnitedSiC(现属于Qorvo)或其他兼容厂商,具有良好的可靠性和稳定性。其命名中的'6'代表额定反向电压为600V,'K'可能表示特定的电流或恢复特性等级,而'1TR'则通常指代包装形式为卷带(Tape and Reel),适用于批量自动化装配。该器件工作温度范围宽,能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、消费电子、通信设备和电源适配器等多种应用场景。

参数

类型:超快恢复二极管
  极性:单二极管
  最大重复反向电压(VRRM):600V
  最大直流阻断电压(VR):600V
  平均整流电流(IO):1A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):30A
  正向电压降(VF):典型值1.3V(在1A时)
  最大反向漏电流(IR):5μA(最大值,常温下)
  反向恢复时间(trr):75ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SMA(DO-214AC)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

US6K1TR具备优异的电气性能和热稳定性,其核心优势之一是快速的反向恢复能力,反向恢复时间(trr)仅为75ns,这显著减少了开关过程中的能量损耗,提高了整体电源转换效率,并降低了电磁干扰(EMI)的产生。这一特性使其特别适用于高频开关电源设计,例如在反激式转换器、有源钳位电路或PFC(功率因数校正)电路中作为输出整流或续流二极管使用。由于其采用硅基PN结结构并经过优化掺杂工艺,该器件在保证高速恢复的同时仍维持较低的正向导通压降,在1A电流下典型值为1.3V,从而有效降低导通损耗,提升系统能效。
  此外,US6K1TR具有高达600V的反向耐压能力,能够应对瞬态过电压冲击,增强了系统的安全性和可靠性。其1A的平均整流电流能力足以满足中小功率电源的需求,且支持高达30A的非重复浪涌电流,表明其具备较强的抗冲击能力,适用于存在启动浪涌或负载突变的应用场景。该器件的工作结温可达+150°C,结合SMA封装良好的散热设计,可在高温环境中长期稳定运行。SMA封装体积小巧,标准化程度高,便于PCB布局与自动化贴片生产,同时具备良好的机械强度和焊接可靠性。综合来看,US6K1TR在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡,是一款成熟且广泛应用的通用型超快恢复二极管,适用于各类对效率和稳定性有要求的电源拓扑结构。

应用

US6K1TR被广泛用于各类中低功率开关电源系统中,尤其是在交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)转换器中作为输出整流二极管或续流二极管使用。常见应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源、家用电器电源模块以及工业控制电源单元。在反激式(Flyback)拓扑中,它常被用作次级侧整流元件,利用其快速恢复特性减少反向恢复损耗,提高转换效率。在连续导通模式(CCM)的功率因数校正(PFC)电路中,该二极管也可作为升压二极管使用,承受较高的电压应力和频繁的开关动作。此外,它还适用于逆变器电路、UPS不间断电源、电机驱动器中的续流路径以及各种需要防止反向电流的保护电路。由于其表面贴装封装形式,特别适合紧凑型电子产品设计,有助于实现小型化和轻量化。在通信设备电源模块中,US6K1TR因其低噪声特性和高可靠性也得到广泛应用。总体而言,该器件适用于所有需要高效、可靠整流功能且工作频率较高的电子系统,尤其在成本敏感但性能要求不低的应用中表现突出。

替代型号

MUR160, ES1D, FES1D, B160, B160A, STTH1R6U, UF1K, HER108

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US6K1TR参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds80pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装TUMT6
  • 包装带卷 (TR)