晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOT-23

US5182E 晶体管具有多个显著特点，使其在多种电子应用中表现出色。
　　首先，该晶体管的电流增益范围较宽（110-800），根据不同的工作电流条件，能够适应从低增益到高增益的各种放大需求。这使得US5182E在设计多级放大器时具有较高的灵活性。
　　其次，US5182E 的过渡频率（fT）达到100MHz，表明其具备良好的高频响应特性，适用于中高频信号放大和处理。这种特性使其在射频（RF）前端、音频放大以及数字信号处理电路中表现出色。
　　此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够在中等功率负载下稳定工作，适合用作开关元件，控制小型继电器、LED阵列或电机驱动电路中的电流。
　　US5182E 的最大集电极-发射极电压为30V，使其能够在较高电压环境下正常工作，增强了其在不同应用场景中的适用性。
　　采用SOT-23封装，US5182E 具有较小的体积，便于在紧凑的PCB布局中使用，并具备良好的热稳定性。该封装形式也便于自动化生产和焊接。
　　最后，US5182E 的工作温度范围为-55℃至150℃，表明其能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。

US5182E 主要应用于以下类型的电子电路和系统中：
　　在音频放大电路中，由于其高增益和良好的频率响应，US5182E 可作为前置放大器或中频放大器使用，提升信号强度。
　　在数字电路中，US5182E 可用作开关元件，控制LED、小型继电器或MOSFET的栅极驱动，适用于嵌入式系统和自动化控制设备。
　　在射频（RF）电路中，由于其100MHz的过渡频率，US5182E 可用于FM接收器、无线发射模块或简单的RF放大电路。
　　在传感器接口电路中，US5182E 可用于信号调理和放大，提高传感器输出信号的稳定性和精度。
　　此外，该晶体管也广泛应用于消费类电子产品，如收音机、玩具、遥控器等设备中，作为基本的信号放大和开关控制元件。

BC547, 2N3904, PN2222A